[发明专利]一种发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述P型层上开设有从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽，位于所述凹槽的一侧的所述P型层上依次层叠有第一电流阻挡层、第一透明导电层、以及延伸至所述凹槽内的钝化层，所述钝化层内设有延伸到所述P型层的第一通孔、以及延伸到所述第一透明导电层的第二通孔，P型焊盘设置在所述第一通孔内，P型电极线设置在所述第二通孔内，其特征在于，位于所述凹槽的另一侧的所述P型层上依次层叠有延伸到所述凹槽内的第二电流阻挡层、第二透明导电层、以及N型焊盘和N型电极线，所述N型电极线在所述凹槽内与所述N型层之间形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电流阻挡层和所述第一电流阻挡层的材料均采用SiO₂或者SiN。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述N型电极和所述P型电极的材料均采用Ni/Al/Cr/Ni/Au。

4.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述钝化层的材料均采用SiO₂或者SiON。

5.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上依次形成N型层、发光层、P型层；

在所述P型层上开设从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽；

在位于所述凹槽的一侧的所述P型层上形成第一电流阻挡层，同时在位于所述凹槽的另一侧的所述P型层上形成延伸到所述凹槽内的第二电流阻挡层；

在位于所述凹槽的一侧的所述P型层上、以及所述第一电流阻挡层上形成第一透明导电层，在所述第二电流阻挡层上形成第二透明导电层；

在所述第一透明导电层上形成延伸到所述凹槽内的钝化层，所述钝化层内设有延伸到所述P型层的第一通孔和延伸到所述第一透明导电层的第二通孔；

在所述第一通孔内设置P型焊盘，在所述第二通孔内设置P型电极线，在所述第二透明导电层上设置N型焊盘，在所述第二透明导电层和所述N型层上设置N型电极线。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第二电流阻挡层和所述第一电流阻挡层的材料均采用SiO₂或者SiN。

7.根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述N型电极和所述P型电极的材料均采用Ni/Al/Cr/Ni/Au。

8.根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层的材料均采用SiO₂或者SiON。

9.根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一透明导电层上形成延伸到所述凹槽内的钝化层，所述钝化层内设有延伸到所述P型层的第一通孔和延伸到所述第一透明导电层的第二通孔，包括：

在所述第一透明导电层和所述第二透明导电层上铺设一层钝化层；

采用光刻工艺在所述钝化层上形成设定图形的光刻胶；

利用所述设定图形的光刻胶对所述钝化层进行刻蚀，在所述钝化层内形成延伸到所述第一透明导电层述P型层的第一通孔和延伸到所述第一透明导电层的第二通孔。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一通孔内设置P型焊盘，在所述第二通孔内设置P型电极线，在所述第二透明导电层上设置N型焊盘，在所述第二透明导电层和所述N型层上设置N型电极线，包括：

在所述第一通孔内、所述第二通孔内、所述第二透明导电层、所述N型层、以及所述光刻胶上形成电极；

剥离所述光刻胶，得到所述P型焊盘、所述P型电极线、所述N型焊盘、以及所述N型电极线。