[发明专利]一种发光二极管及其制作方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括衬底、N型层、发光层、P型层，P型层上开设有延伸到N型层的凹槽，位于凹槽的一侧的P型层上层叠有第一电流阻挡层、第一透明导电层、以及延伸至凹槽内的钝化层，钝化层内设有延伸到P型层的第一通孔、以及延伸到第一透明导电层的第二通孔，P型焊盘设置在第一通孔内，P型电极线设置在第二通孔内，位于凹槽的另一侧的P型层上依次层叠有延伸到凹槽内的第二电流阻挡层、第二透明导电层、以及N型焊盘和N型电极线，N型电极线在凹槽内与N型层之间形成欧姆接触。本发明增大发光层的面积，提高发光亮度，LED的电压降低。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管及其制作方法。

背景技术

随着第三代半导体技术的兴起和不断成熟，半导体照明以能耗小、无污染、高亮度、长寿命等优势，成为人们关注的焦点，也带动了整个行业上中下游产业的蓬勃发展。其中，半导体发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)的制造是核心技术之一，不断提高LED的发光亮度是自始至终追求的目标。

现有的LED包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层、电流阻挡层、透明导电层、钝化层，P型层上开设有从P型层延伸到N型层的凹槽，P型层上设有依次穿过电流阻挡层、透明导电层、钝化层的P型电极，N型层上设有穿过钝化层的N型电极。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

为了将N型电极设置N型层上，从P型层延伸到N型层的凹槽的面积较大，使得设置在P型层和N型层之间的发光层的面积较小，导致LED的发光亮度低并且电流密度大、电压高。

发明内容

为了解决现有技术发光亮度低的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管及其制作方法。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述P型层上开设有从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽，位于所述凹槽的一侧的所述P型层上依次层叠有第一电流阻挡层、第一透明导电层、以及延伸至所述凹槽内的钝化层，所述钝化层内设有延伸到所述P型层的第一通孔、以及延伸到所述第一透明导电层的第二通孔，P型焊盘设置在所述第一通孔内，P型电极线设置在所述第二通孔内，位于所述凹槽的另一侧的所述P型层上依次层叠有延伸到所述凹槽内的第二电流阻挡层、第二透明导电层、以及N型焊盘和N型电极线，所述N型电极线在所述凹槽内与所述N型层之间形成欧姆接触。

可选地，所述第二电流阻挡层和所述第一电流阻挡层的材料均采用SiO₂或者SiN。

可选地，所述N型电极和所述P型电极的材料均采用Ni/Al/Cr/Ni/Au。

可选地，所述钝化层的材料均采用SiO₂或者SiON。

另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管的制作方法，所述制作方法包括：

在衬底上依次形成N型层、发光层、P型层；

在所述P型层上开设从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽；

在位于所述凹槽的一侧的所述P型层上形成第一电流阻挡层，同时在位于所述凹槽的另一侧的所述P型层上形成延伸到所述凹槽内的第二电流阻挡层；

在位于所述凹槽的一侧的所述P型层上、以及所述第一电流阻挡层上形成第一透明导电层，在所述第二电流阻挡层上形成第二透明导电层；

在所述第一透明导电层上形成延伸到所述凹槽内的钝化层，所述钝化层内设有延伸到所述P型层的第一通孔和延伸到所述第一透明导电层的第二通孔；