[发明专利]一种新型高压LED的制作方法

权利要求书

1.一种新型高压LED的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括：

1)提供生长衬底，在所述生长衬底上生长外延层，所述外延层包括N型GaN层、生长在所述N型GaN层表面的多量子阱层以及生长在所述多量子阱层表面的P型GaN层；

2)刻蚀所述外延层，形成暴露所述生长衬底的隔离沟槽，使所述外延层形成多个相互独立的芯片；

3)刻蚀每个芯片的外延层，形成暴露所述N型GaN层的开口；

4)在所述P型GaN层表面形成反射金属层，在所述反射金属层上覆盖隔离金属层；

5)在所述外延层和隔离金属层表面覆盖第一绝缘层，在所述开口中第一绝缘层表面开孔，暴露出所述N型GaN层，同时在所述第一绝缘层表面开孔，形成暴露所述隔离金属层的互联窗口，其中第一个芯片中所述隔离金属层表面不开孔；

6)在所述第一绝缘层表面、开口以及互联窗口中填充互联金属层，使相邻芯片的隔离金属层与N型GaN层电连，形成串联结构；

7)在所述第一绝缘层和互联金属层表面覆盖第二绝缘层，其中，在最末尾芯片表面的第二绝缘层上形成N电极接触孔；

8)在所述第二绝缘层和互联金属层表面以及隔离沟槽中覆盖键合金属层，通过所述键合金属层将步骤7)获得的结构与导热衬底键合；

9)剥离所述生长衬底，从背面依次刻蚀所述第一个芯片的N型GaN层、多量子阱层以及P型GaN层，形成暴露反射金属层的P电极接触孔；

10)形成第三绝缘层，刻蚀所述P电极接触孔中的第三绝缘层，在所述P电极接触孔中填充与第一个芯片的反射金属层电连的P电极。

2.根据权利要求1所述的新型高压LED的制作方法，其特征在于：所述步骤2)中采用ICP刻蚀或者激光划裂的方法形成所述隔离沟槽，所述隔离沟槽呈倒梯形结构。

3.根据权利要求1所述的新型高压LED的制作方法，其特征在于：所述反射金属层的材料为Ni、Ti、Pt或者Au中的一种或多种的组合，厚度范围为

4.根据权利要求1所述的新型高压LED的制作方法，其特征在于：所述互联金属层的材料为Cr、Al、Ti、Ni、Pt或者Au中的一种或多种的组合，厚度范围为

5.根据权利要求1所述的新型高压LED的制作方法，其特征在于：所述隔离沟槽中的互联金属层与第一绝缘层构成ODR结构，使所述隔离沟槽成为反射沟槽。

6.根据权利要求1所述的新型高压LED的制作方法，其特征在于：所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层选自SiO₂、Si₃N₄或DBR中的一种或多种材料形成的材料堆层。

7.根据权利要求1所述的新型高压LED的制作方法，其特征在于：所述导热衬底为金属衬底或者硅衬底。

8.根据权利要求1所述的新型高压LED的制作方法，其特征在于：所述步骤9)中采用激光剥离或者湿法腐蚀的方法剥离所述生长衬底。

9.根据权利要求1所述的新型高压LED的制作方法，其特征在于：采用ICP刻蚀或者湿法腐蚀的方法从背面依次刻蚀所述第一个芯片的N型GaN层、多量子阱层以及P型GaN层，形成暴露反射金属层的P电极接触孔。

10.根据权利要求1所述的新型高压LED的制作方法，其特征在于：所述生长衬底为蓝宝石衬底。