[发明专利]一种新型高压LED的制作方法

说明书

本发明提供一种新型高压LED的制作方法，所述制作方法包括：在生长衬底上进行外延层沉积；形成隔离沟槽；mesa平台刻蚀、形成反射金属层；形成隔离金属层；形成第一绝缘层；形成互联金属层；形成第二绝缘层；形成键合金属层；键合导热衬底；移除蓝宝石生长衬底；制作p电极等步骤。本发明通过剥离低导电的生长衬底，将发光体转移到高导热率的衬底上来提高芯片的散热能力。本发明制作的高压LED具有良好的散热性以及易封装性等特点，适用于大规模工艺生产中。

技术领域

本发明涉及LED制造技术领域，特别是涉及一种新型高压LED的制作方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)是一种半导体发光器件，由镓(Ga)与砷(As)、磷(P)、氮(N)、铟(In)的化合物组成，利用半导体P-N结电致发光原理制成。LED以其亮度高、低功耗、寿命长、启动快，功率小、无频闪、不容易产生视视觉疲劳等优点，成为新一代光源首选。

随着行业的不断发展，LED芯片在追逐更高光效、更高功率、更高可靠性的方向一步一步迈进。而在LED应用端，主要占据市场的依旧为小功率和中功率芯片，大功率芯片由于良率问题只有少数公司涉足。

近年来许多新型LED芯片出现在公众视野内，其中高压(High voltage)LED，以其效率优于一般传统低压LED，备受关注。高压LED效率高主要归因于小电流、多单元的设计能均匀的将电流扩散开，而且高压LED可以实现直接高压驱动，从而节省LED驱动的成本。现有的高压LED芯片存在着功率增加、散热难及可靠性降低的问题。

针对散热问题，业界对高压LED芯片的结构出了进一步的改进。例如，专利申请号为201510022007.8采用增加导热柱的方法来增加芯片的散热性。但是该法工艺实现难度高，不易广泛应用于大规模生产。

因此，提供一种新型高压LED的制作方法是本领域技术人员需要解决的课题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种新型高压LED的制作方法，用于解决现有技术高压LED散热难、工艺复杂等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种新型高压LED的制作方法，所述制作方法至少包括：

1)提供生长衬底，在所述生长衬底上生长外延层，所述外延层包括N型GaN层、生长在所述N型GaN层表面的多量子阱层以及生长在所述多量子阱层表面的P型GaN层；

2)刻蚀所述外延层，形成暴露所述生长衬底的隔离沟槽，使所述外延层形成多个相互独立的芯片；

3)刻蚀每个芯片的外延层，形成暴露所述N型GaN层的开口；

4)在所述P型GaN层表面形成反射金属层，在所述反射金属层上覆盖隔离金属层；

5)在所述外延层和隔离金属层表面覆盖第一绝缘层，在所述开口中第一绝缘层表面开孔，暴露出所述N型GaN层，同时在所述第一绝缘层表面开孔，形成暴露所述隔离金属层的互联窗口，其中第一个芯片中所述隔离金属层表面不开孔；

6)在所述第一绝缘层表面、开口以及互联窗口中填充互联金属层，使相邻芯片的隔离金属层与N型GaN层电连，形成串联结构；

7)在所述第一绝缘层和互联金属层表面覆盖第二绝缘层，其中，在最末尾芯片表面的第二绝缘层上形成N电极接触孔；

8)在所述第二绝缘层和互联金属层表面以及隔离沟槽中覆盖键合金属层，通过所述键合金属层将步骤7)获得的结构与导热衬底键合；

9)剥离所述生长衬底，从背面依次刻蚀所述第一个芯片的N型GaN层、多量子阱层以及P型GaN层，形成暴露反射金属层的P电极接触孔；