[发明专利]具低翘曲度的驱动晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种具低翘曲度的驱动晶片，包含一层配置电路层、一层第一介电层，及一层第二介电层，该配置电路层包括一个具有一个连接面的金属区，该第一介电层形成于该金属区的该连接面，并包括一个相反于该连接面的第一顶面，该第二介电层形成于该第一介电层的该第一顶面，并包括一个相反于该第一顶面的第二顶面，其特征在于：

该第二介电层还包括多个自该第二顶面朝该第一介电层凹设的主沟槽，该具低翘曲度的驱动晶片还包含一种用于填设所述主沟槽的主绝缘材。

2.根据权利要求1所述的具低翘曲度的驱动晶片，其特征在于：该第一介电层还包括多个自该第一顶面朝该金属区凹设的次沟槽，及一种用于填设所述次沟槽的次绝缘材。

3.根据权利要求2所述的具低翘曲度的驱动晶片，其特征在于：所述次沟槽不连通该金属区，所述主沟槽不连通该第一介电层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的具低翘曲度的驱动晶片，其特征在于：该配置电路层的该金属区厚度介于0.5微米至1.5微米间。

5.根据权利要求4所述的具低翘曲度的驱动晶片，其特征在于：该第一介电层厚度介于0.3微米至0.8微米间。

6.根据权利要求4所述的具低翘曲度的驱动晶片，其特征在于：该第二介电层厚度介于0.5微米至1微米间。

7.一种具低翘曲度的驱动晶片的制造方法，其特征在于：包含下列步骤:

(A)前段作业:提供一个包含一层配置电路层的晶圆，该配置电路层包括一个具有一个连接面的金属区，该晶圆还包含一层形成于该连接面上的第一介电层，及多个晶圆切割道；

(B)沉积作业:形成一层第二介电层在该步骤(A)中的该第一介电层；

(C)应力释放作业:在该步骤(B)的该第二介电层形成多个主沟槽，并于所述主沟槽内填设一种主绝缘材；及

(D)切割作业:利用一个切割刀沿着该步骤(C)的该晶圆的每一个晶圆切割道切割，以形成多个具低翘曲度的驱动晶片。

8.根据权利要求7所述的具低翘曲度的驱动晶片，其特征在于：在该步骤(A)中的该第一介电层包括一个第一顶面，及多个自该第一顶面朝该金属区凹设的次沟槽，且于所述次沟槽内填设一种次绝缘材，所述次沟槽不连通该金属区。

9.根据权利要求8所述的具低翘曲度的驱动晶片，其特征在于：在该步骤(A)中的所述次沟槽分别能采用蚀刻方式或是雷射熔出方式成型，该步骤(C)中的所述主沟槽不连通该第一介电层，且分别能采用蚀刻方式或是雷射熔出方式成型。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的具低翘曲度的驱动晶片，其特征在于：该步骤(A)中所述的该金属区厚度介于0.5微米至1.5微米间，该步骤(A)中所述的该第一介电层厚度介于0.3微米至0.8微米间，及该步骤(B)中所述的该第二介电层厚度介于0.5微米至1微米间。