[发明专利]具低翘曲度的驱动晶片及其制造方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种半导体驱动晶片及其制造方法，特别是涉及一种具低翘曲度的驱动晶片，以及该具低翘曲度的驱动晶片的制造方法。

【背景技术】

在液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD)朝向窄边框及厚度更薄的设计趋势下，用于驱动像素动作的驱动晶片的尺寸也无法避免地需朝向更细长且薄的设计目标迈进，然而，较长且薄的驱动晶片在成膜过程(Film Process)中会因为残留应力(Residual Stress)不易释放而存有较严重的翘曲(Warpage)现象。具高翘曲度的驱动晶片，除了会让操作机台在外观上因视觉辨识不良而造成取放(Pick up and Place)作业异常外，搬运过程中，也较容易相对于承载盘(Tray)滑出而造成晶片损坏，另外，具高翘曲度的驱动晶片也会不利于下游LCD模块制造商进行粘合(Bonding)于玻璃基板(Chip on Glass,简称COG)的后段作业。

参阅图1，现有一种如美国专利7169685号所公开的具低翘曲度的驱动晶片1，其包含一个包括呈反向设置的一个顶面111与一个底面112的基板11、一层形成于该基板11的该顶面111的驱动电路层12、一层用于保护该驱动电路层12表面的钝化层13，及一层设置于该基板11的该底面112的应力平衡层14。此方法主要是利用该应力平衡层14来反向抵消在成膜过程中逐渐累积形成的残留 应力，借此改善驱动晶片的翘曲现象。虽然此种方法能有效制备具低翘曲度的驱动晶片1，但却无法满足驱动晶片朝薄型化发展的需求。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种不仅能薄型化且能兼具低翘曲度，进而有助于下游LCD模块制造商进行COG后段作业的具低翘曲度的驱动晶片。

本发明具低翘曲度的驱动晶片，包含一层配置电路层、一层第一介电层、一层第二介电层，及一种主绝缘材。

该配置电路层包括一个具有一个连接面的金属区。

该第一介电层形成于该金属区的该连接面。该第一介电层包括一个相反于该连接面的第一顶面。

该第二介电层形成于该第一介电层的该第一顶面。该第二介电层包括一个相反于该第一顶面的第二顶面，及多个自该第二顶面朝该第一介电层凹设的主沟槽。

该主绝缘材用于填设于所述主沟槽。

本发明的具低翘曲度的驱动晶片，该第一介电层还包括多个自该第一顶面朝该金属区凹设的次沟槽，及一种用于填设所述次沟槽的次绝缘材。

本发明的具低翘曲度的驱动晶片，所述次沟槽不连通该金属区，所述主沟槽不连通该第一介电层。

本发明的具低翘曲度的驱动晶片，该配置电路层的该金属区厚度介于0.5微米至1.5微米间。

本发明的具低翘曲度的驱动晶片，该第一介电层厚度介于0.3 微米至0.8微米间。

本发明的具低翘曲度的驱动晶片，该第二介电层厚度介于0.5微米至1微米间。

本发明的有益效果，通过利用多个自该第二顶面朝该第一介电层凹设的主沟槽，来局部释放成膜过程中所累积的残留应力，借此达成降低晶片整体翘曲度的目的。

本发明的另一个目的，在于提供一种具低翘曲度的驱动晶片的制造方法。

本发明具低翘曲度的驱动晶片的制造方法是用来制造如上述所述的具低翘曲度的驱动晶片，并且包含下列步骤：(A)前段作业:提供一个包含一层配置电路层的晶圆，该配置电路层包括一个具有一个连接面的金属区，该晶圆还包含一层形成于该连接面上的第一介电层，及多个晶圆切割道。(B)沉积作业:形成一层第二介电层在该第一介电层上。(C)应力释放作业:在该第二介电层形成多个主沟槽，并于所述主沟槽内填设有一种主绝缘材。(D)切割作业:利用一个切割刀沿着已完成应力释放作业的该晶圆的每一个晶圆切割道切割，以形成多个具低翘曲度的驱动晶片。

本发明的具低翘曲度的驱动晶片的制造方法，在该步骤(A)中的该第一介电层包括一个第一顶面，及多个自该第一顶面朝该金属区凹设的次沟槽，且于所述次沟槽内填设一种次绝缘材，所述次沟槽不连通该金属区。

本发明的具低翘曲度的驱动晶片的制造方法，在该步骤(A)中的所述次沟槽分别能采用蚀刻方式或是雷射熔出方式成型，该步骤(C)中的所述主沟槽不连通该第一介电层，且分别能采用蚀刻方式或是 雷射熔出方式成型。