[发明专利]一种晶圆级封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，其包括：

堆叠圆片，其包括第一半导体圆片和第二半导体圆片，每个半导体圆片包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面、集成于该半导体圆片上的多个半导体模块，各个半导体模块在半导体圆片的第一表面具有数个连接焊盘，第一半导体圆片的第一表面和第二半导体圆片的第一表面通过胶层键合，以形成第一半导体圆片和第二半导体圆片间的堆叠，其中，第一半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第一连接焊盘，第二半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第二连接焊盘；

多个沟槽，其与第一连接焊盘和/或第二连接焊盘对应，并自所述第二半导体圆片的第二表面延伸至所述第二半导体圆片内；

与所述多个沟槽分别对应的多个连接孔，其自对应的沟槽的底部贯穿至所述第一半导体圆片的第一表面；

重分布层，其形成于所述第二半导体圆片的第二表面和/或所述沟槽上方，其包括与所述多个沟槽分别对应的多个重分布区，每个重分布区包括多个连接部和/或多个焊垫部，每个重分布区的连接部填充对应的连接孔。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

部分第一连接焊盘与部分第二连接焊盘对齐，与对齐的第一连接焊盘和第二连接焊盘对应的沟槽的底部暴露出对应的第二连接焊盘，与对齐的第一连接焊盘和第二连接焊盘对应的连接孔自对应的沟槽的底部依次贯穿下方的第二连接焊盘、胶层以暴露出对齐的第一连接焊盘。

3.根据权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

部分对齐的第一连接焊盘和第二连接焊盘通过所述重分布区的连接部电连接；或

所述重分布区的连接部将所述重分布区的焊垫部以及对齐的第一连接焊盘和第二连接焊盘电连接。

4.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

部分第一连接焊盘无与之对齐的第二连接焊盘，

与此部分第一连接焊盘对应的沟槽，其贯穿所述第二半导体圆片；

与此部分第一连接焊盘对应的连接孔自对应的沟槽的底部依次贯穿胶层以暴露出对应的第一连接焊盘；

此部分第一连接焊盘通过所述重分布区的连接部与对应的焊垫部电连接。

5.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

部分第二连接焊盘无与之对齐的第一连接焊盘，

与此部分第二连接焊盘对应的沟槽的底部暴露出对应的第二连接焊盘；

与此部分第二连接焊盘对应的连接孔自对应的沟槽的底部依次贯穿下方的第二连接焊盘、胶层，

此部分第二连接焊盘通过所述重分布区的连接部与对应的焊垫部电连接。

6.根据权利要求2-5任一所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

所述晶圆级封装结构还包括第一钝化层和/或第二钝化层，所述第一钝化层在重分布层下以覆盖形成有沟槽的第二半导体圆片的第二表面，所述连接孔还贯穿该第一钝化层；所述第二钝化层形成于所述重分布层上方以覆盖所述连接部，该第二钝化层具有暴露所述焊垫部的开口。

7.一种晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，其包括：

提供第一半导体圆片和第二半导体圆片，每个半导体圆片包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面、集成于该半导体圆片上的多个半导体模块，各个半导体模块在半导体圆片的第一表面具有数个连接焊盘；

通过胶层将第一半导体圆片的上表面和第二半导体圆片的上表面键合，以形成第一半导体圆片和第二半导体圆片间的堆叠，其中，第一半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第一连接焊盘，第二半导体圆片第一表面上的连接焊盘称为第二连接焊盘；

自所述第二半导体圆片的第二表面的与第一连接焊盘和/或第二连接焊盘对应的位置开设多个沟槽，所述沟槽自所述第二半导体圆片的第二表面延伸至所述第二半导体圆片内；

自所述沟槽的底部贯穿至所述第一半导体圆片的第一表面开设多个连接孔；和

在第二半导体圆片的第二表面和/所述沟槽上方形成重分布层，其中其包括与所述多个沟槽分别对应的多个重分布区，每个重分布区包括多个连接部和/或多个焊垫部，每个重分布区的连接部填充对应的连接孔。