[发明专利]一种非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法有效

申请号：	201610079153.9	申请日：	2016-02-02
公开（公告）号：	CN107026097B	公开（公告）日：	2020-03-20
发明（设计）人：	付超凡;柳清超;高文琳	申请（专利权）人：	沈阳硅基科技有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66
代理公司：	沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002	代理人：	许宗富;周秀梅
地址：	110179 辽宁省沈阳***	国省代码：	辽宁;21
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摘要：
搜索关键词：	一种接触损伤测量外延 soi 电阻率方法
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【权利要求书】：

1.一种非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法，其特征在于：所述外延层为P型或N型，测试过程包括如下步骤：

(1)将外延SOI产品放入反应室；外延SOI的外延层厚度应在1-100μm；

(2)反应室中通入臭氧或者同时通入臭氧和水蒸气，通入时间为3-10秒，以使反应室内成为臭氧或者臭氧和水蒸气的环境；当所述外延层为P型时，反应室内通入的气体为臭氧，气体的流速为1-5升/分钟；当所述外延层为N型时，反应室内通入的气体为臭氧和水蒸气，臭氧的流速为1-5升/分钟，水蒸气的流速为1-5升/分钟；

(3)反应室中通入气体的同时加热至200-400℃；

(4)在200-400℃条件下，气体通入时间保持100-300秒，用于在外延SOI表面产生一层自然氧化层；

(5)反应室加热至400-600℃，在400-600℃条件下，气体通入时间保持100-500秒，用于使步骤(4)产生的氧化层更加致密；

(6)反应室中通入氮气，使反应室降温至室温；

(7)取出外延SOI放入测试台上，同时施加主电压和偏移电压；主电压范围为1-3V，偏移电压小于4V；

(8)通过A-CV法测量得到外延SOI外延层电阻率值。

2.根据权利要求1所述的非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法，其特征在于：该方法测量位置的电阻率范围为1-100ohm.cm。

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