[发明专利]SiC MOSFET器件单元及其制造方法有效
| 申请号： | 201610080830.9 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105576032B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊;陈俊峰;古一夫;周雯 | 申请（专利权）人： | 厦门芯晶亮电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 361028 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic mosfet 器件 单元 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiCMOSFET器件单元的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，在N型基质上沉积N型的SiC层，在N型的SiC层上方则再沉积一般的P型硅层；
步骤二，第一栅极沟槽曝光显影及蚀刻；
步骤三，在蚀刻及光阻去除后作P型离子植入；
步骤四，栅极沟槽介电层沉积；
步骤五，N型多晶硅沉积及回蚀刻形成栅极结构；
步骤六，N型重掺杂离子植入，N型重掺杂浓度要求大于步骤三的P型离子植入浓度；
步骤七，第二沟槽曝光显影及蚀刻，第二沟槽位于第一栅极沟槽的一侧；
步骤八，P型SiC垒晶在N+源极层的中间沉积，P型SiC的掺杂浓度大于P型硅的掺杂浓度；
步骤九，介电层在第二沟槽和第一栅极沟槽上沉积及连接曝光显影及蚀刻，金属层沉积曝光显影及蚀刻。
2.根据权利要求1所述的SiCMOSFET器件单元的制造方法，其特征在于，所述步骤二的具体步骤如下：光胶涂布后使用光罩曝光及光胶显影，利用电浆蚀刻形成栅极沟槽，光阻去除。
3.根据权利要求1所述的SiCMOSFET器件单元的制造方法，其特征在于，所述步骤四的具体步骤如下：使用酸槽进行沉积前清洗，使用高温炉管形成薄氧化硅，使用酸槽进行薄氧化层去除，栅极沟槽介电层沉积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门芯晶亮电子科技有限公司，未经厦门芯晶亮电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610080830.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
