[发明专利]多工作台或多腔体检测系统有效
申请号: | 201610082232.5 | 申请日: | 2016-02-05 |
公开(公告)号: | CN105702597B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 马卫民;孙伟强 | 申请(专利权)人: | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 工作台 体检 系统 | ||
本发明公开一种检测系统。根据本发明一方面,检测系统包括多工作台或多腔体,其中腔体或工作台(N≥2)被布置成形成一个或多个路线用于晶片或掩模的检测。每个腔体中(或在每个工作台)的检测流程通过其在路线中的次级和所用的相对镜筒确定。对于具有N个腔体或工作台的系统,可以同时处理最大数量N个晶片或掩模。
技术领域
本发明涉及半导体领域,并且尤其地,涉及半导体的检测系统中的产能管理技术。
背景技术
检测系统帮助半导体制造商提高和保持集成电路(IC)芯片的产能。半导体制造商以每年接近10亿美元的价值购买检测系统。这样的资金投资证明检测系统在制造集成电路芯片过程中的价值。集成电路工业采用检测系统检测在制造过程可能发生的多种缺陷。提供检测系统的目的之一是为了监测制造过程是否受控。如果不是,则系统可以帮助指明问题的源头。检测系统的主要特征是缺陷检测敏感度和产能。敏感度和产能通常是相关的,因为大体上来说,敏感度越大通常意味着产能或产能越低。
半导体制造工业的发展对产能管理,尤其是量测和检测系统提出越来越高的要求。临界尺寸正持续地减小,同时晶片尺寸正从200mm增大至300mm,甚至在将来可能更大。经济性正驱使工业缩短实现高产能、高价值生产过程的时间。因此,减小从检测到产能问题至修理它的总的时间决定了半导体制造商的资金回报。
因此,极为需要方法或检测系统,其适于能够提供最有效的产能管理。
发明内容
本部分旨在概述本发明的一些方面并简要地介绍一些优选的实施例。为了避免使得本部分的用途不清楚,作出了简化或删减。这些简化或删减不应限制本发明的保护范围。
大体上,本发明涉及半导体检测系统中的产能管理技术。根据本发明的一方面,电子束检测系统包括多工作台或多腔体,其中腔体或工作台(N≥2)被布置以形成用于晶片或掩模检测的一个或多个路线。在每个腔体内(或在每个工作台处)的检测流程通过其在路线中的次级和所用的相对的多个镜筒确定。具有N个腔体或工作台的系统可以同时处理最大数量N个晶片或掩模。
根据本发明的另一方面,腔体或工作台的功能的分配或指派遵循一种方法以最大化总的产能。晶片或掩模随后在不同的腔体内(或在不同的工作台)检测或检查特定类型的特征和关心的区域,并且根据传递路线的次级转移。
根据本发明的还一方面,多个腔体或工作台的至少一个包括组件,该组件通常可以包括多个(例如50-200)单独的镜筒,每个镜筒具有单独的电子束,因而是多镜筒电子束检测系统。多个镜筒通过它们的功能、权重和性能进行分配。特定功能的镜筒(例如检测、检查)被用于特定类型的扫描,具有不同性能(例如斑点尺寸)的镜筒相应地被指定用于不同的任务或关心的区域。
本发明可以应用为方法、系统、设备或系统的部分,不同的应用得到不同的有益效果、优点和目的。根据一个实施例,本发明提供一种半导体检测系统,包括控制器、定位以接收样品用于在其内的第一类型检测的第一检测站,以及至少两个第二检测站,该至少两个第二检测站的每一个配置成实施第二类型检测,其中该控制器执行控制模块,所述控制模块配置成当样品完成第一类型检测时从所述至少两个第二检测站确定一个第二检测站,所述第二检测站被确定为使得第一站和第二站之间的时间间断最小并且逐步地提高检测精度。
根据一个实施例,本发明提供一种半导体检测系统,包括控制器;第一组检测站,所述第一组检测站的每一个配置成实施第一类型检测;第二组检测站,所述第二组检测站的每一个配置成执行第二类型检测。第一类型检测用于检测样品上大于预定尺寸范围的缺陷并且第二类型检测用于检测样品上小于预定尺寸范围的缺陷。控制模块在控制器内执行并且配置成确定第二组检测站的不被占用的一个以接收来自第一组检测站中的一个的物品,而不会在将被检测过的物品从一个检测站移至另一检测站的时候由于第二组检测站的被占用的检测站引起延迟。
根据一个实施例,一种检测系统,包括:控制器:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东方晶源微电子科技(北京)有限公司,未经东方晶源微电子科技(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610082232.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种负载传输装置与方法
- 下一篇:检测封装基板钻头和控深精度的装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造