[发明专利]一种曝光方法、曝光装置及彩膜基板

权利要求书

1.一种曝光方法，其特征在于，包括：

在掩膜版的第一侧的两个顶角处分别设置一个第一对位标记，以及在所述掩膜版的与所述第一侧相对的第二侧的两个顶角处分别设置一个第二对位标记；

利用所述第一对位标记和第二对位标记在位于衬底基板上方的黑矩阵层上分别形成透过孔的图形，并对所述黑矩阵层进行曝光；

将所述衬底基板以所述第二侧指向第一侧的方向进行移动，控制上一次由所述第二对位标记形成的两个所述透过孔与所述第一对位标记进行对位曝光，并利用所述第二对位标记形成下一次将与所述第一对位标记进行对位的透过孔的图形；

重复移动所述衬底基板并进行所述对位曝光，直至在所述黑矩阵层上形成黑矩阵的图形。

2.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，利用所述第一对位标记和第二对位标记在位于衬底基板上方的黑矩阵层上分别形成透过孔的图形，具体包括：

通过激光器利用所述第一对位标记和第二对位标记在位于衬底基板上方的黑矩阵层上进行打孔，分别形成与所述第一对位标记对应的透过孔的图形，以及与所述第二对位标记对应的透过孔的图形。

3.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，利用所述第二对位标记形成下一次将与所述第一对位标记进行对位的透过孔的图形，具体包括：

通过激光器利用所述第二对位标记在所述黑矩阵层上进行打孔，形成与所述第二对位标记对应的下一次将与所述第一对位标记进行对位的透过孔的图形。

4.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述掩膜版的第一侧为左侧，第二侧为右侧；或，

所述掩膜版的第一侧为右侧，第二侧为左侧；或，

所述掩膜版的第一侧为上侧，第二侧为下侧；或，

所述掩膜版的第一侧为下侧，第二侧为上侧。

5.如权利要求1-4任一项所述的曝光方法，其特征在于，所述透过孔的孔口形状为方形结构。

6.如权利要求1-4任一项所述的曝光方法，其特征在于，所述黑矩阵的材料为树脂光刻胶。

7.一种曝光装置，其特征在于，包括：掩膜版放置台，激光器，移动机台；其中，

所述掩膜版放置台用于放置将对设置在衬底基板上方的黑矩阵层进行曝光时使用的掩膜版；所述掩膜版的第一侧的两个顶角处分别具有一个第一对位标记，以及与所述第一侧相对的第二侧的两个顶角处分别具有一个第二对位标记；

所述激光器用于利用所述第一对位标记和第二对位标记在所述黑矩阵层上进行打孔，分别形成与所述第一对位标记对应的透过孔的图形，以及与所述第二对位标记对应的透过孔的图形；

所述移动机台用于将所述衬底基板以所述第二侧指向第一侧的方向进行移动，控制上一次由所述第二对位标记形成的两个所述曝光方法透过孔与所述第一对位标记进行对位曝光。

8.一种彩膜基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的黑矩阵；其中，

所述黑矩阵由如权利要求1-6任一项所述的曝光方法形成的。