[发明专利]基于石墨烯的薄膜层叠体及其制造方法有效
申请号: | 201610092171.0 | 申请日: | 2016-02-19 |
公开(公告)号: | CN107026246B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 朴种汉;曹承旻;徐顺爱;申召詺;金泰光;金善永 | 申请(专利权)人: | 韩华航空航天公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;孙昌浩 |
地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 石墨 薄膜 层叠 及其 制造 方法 | ||
1.一种基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法,包括将如下的步骤(a)至步骤(d)作为一次循环并将所述一次循环以相同方式重复执行至N次循环的步骤,其中N次循环是60次以下的循环:
(a)令转移到常温基板上的石墨烯的表面与非金属前驱气体接触,同时以等离子体进行激活的步骤;
(b)利用惰性气体而对与所述非金属前驱气体接触并得到激活的石墨烯表面进行第一次清洗的步骤;
(c)使得到清洗的石墨烯表面与金属前驱气体接触的步骤;以及
(d)利用惰性气体而对与所述金属前驱气体接触的石墨烯表面进行第二次清洗的步骤,
其中,(c)步骤中的所述金属前驱气体为铝前驱气体的循环次数与(c)步骤中的所述金属前驱气体为锌前驱气体的循环次数之比是1:13至1:49。
2.如权利要求1所述的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法,其中,
在所述步骤(a)中转移的石墨烯为通过化学气相沉积法形成的石墨烯。
3.如权利要求1所述的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法,其中,
所述金属前驱气体为铝前驱气体或锌前驱气体。
4.如权利要求3所述的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法,其中,
所述铝前驱气体包括卤化铝、有机铝化合物或者其组合。
5.如权利要求3所述的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法,其中,
所述锌前驱气体为有机锌化合物。
6.如权利要求5所述的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法,其中,
所述有机锌化合物包括二乙基锌。
7.如权利要求1所述的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法,其中,
所述步骤(a)以及所述步骤(c)中,当所述石墨烯表面或所述得到清洗的石墨烯表面与所述非金属前驱气体或所述金属前驱气体接触时,石墨烯表面的温度是80℃至100℃。
8.如权利要求1所述的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法,其中,
在所述步骤(a)至所述步骤(d)中,所述基板的温度维持为100℃以下。
9.一种基于石墨烯的薄膜层叠体,利用权利要求1至8中的任意一项所述的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法而制造。
10.如权利要求9所述的基于石墨烯的薄膜层叠体,其中,
所述基于石墨烯的薄膜层叠体具有在石墨烯表面依次层叠有Al2O3层以及ZnO层的结构。
11.如权利要求10所述的基于石墨烯的薄膜层叠体,其中,
层叠的所述Al2O3层以及ZnO层的平均厚度是10nm以下。
12.如权利要求9所述的基于石墨烯的薄膜层叠体,其中,
所述基于石墨烯的薄膜层叠体的平均面电阻是250Ω/sq以下。
13.如权利要求9所述的基于石墨烯的薄膜层叠体,其中,
所述基于石墨烯的薄膜层叠体中存在的铝的含量以薄膜中存在的全部金属100原子%为基准而占0.7至2.8原子%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择