[发明专利]基于石墨烯的薄膜层叠体及其制造方法

说明书

本发明公开一种基于石墨烯的薄膜层叠体及其制造方法。所公开的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法包括将步骤(a)至步骤(d)作为一次循环并将所述一次循环以相同方式重复执行至N次循环的步骤，其中，N次循环是60次以下的循环。另外，本发明还公开了包含有所述基于石墨烯的薄膜层叠体的电极和电子元件。

技术领域

本发明涉及一种基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法以及所述基于石墨烯的薄膜层叠体。

背景技术

石墨烯是碳原子之间的间距约为且形成为正六边形结构的2维物质。所述石墨烯具有优良的强度、热导率以及电子迁移率等特性，所以可以应用于透明电极或者基于石墨烯的各种电子元件。

石墨烯通常可以利用机械剥离法、化学沉积法、外延合成法或者化学剥离法等方法而制造。如此制造的石墨烯的面电阻为几千Ω/sq，所以需要减少面电阻以应用于工业。

为了改善面电阻，正在尝试层叠多层石墨烯的方法。但是在这种情况下，工序执行次数增加，从而导致成本或者重复执行时的次品率增加，所以开发方向转变为在单层石墨烯中提高电荷迁移率或者增加电荷密度的方向。

因此，依然需要能够改善电荷迁移率以及面电阻的新结构的石墨烯结构体的制造方法以及所述石墨烯结构体等。

发明内容

根据本发明的一方面，其目的在于提供一种能够改善电荷迁移率以及平均面电阻的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法。

根据另一方面，本发明的目的在于提供所述基于石墨烯的薄膜层叠体。

根据本发明的一方面，提供一种基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法，包括将如下的步骤(a)至步骤(d)作为一次循环并将所述一次循环以相同方式重复执行至N次循环的步骤，其中N次循环是60次以下的循环：

(a)令转移到常温基板上的石墨烯的表面与非金属前驱气体接触，同时以等离子体进行激活的步骤；

(b)利用惰性气体而对与所述非金属前驱气体接触并得到激活的石墨烯表面进行第一次清洗的步骤；

(c)使得到清洗的石墨烯表面与金属前驱气体接触的步骤；以及

(d)利用惰性气体而对与所述金属前驱气体接触的石墨烯表面进行第二次清洗的步骤。

根据本发明的另一方面，提供一种根据如上所述的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法制造的基于石墨烯的薄膜层叠体。

根据本发明的基于石墨烯的薄膜层叠体及其制造方法，包括将步骤(a)至步骤(d)作为一次循环并将所述一次循环以相同方式重复执行至N次循环的构成，其中N次循环是60次以下的循环，据此可以改善电荷迁移率(具体为电子迁移率)以及平均面电阻。

附图说明

图1是根据一实施例的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法的顺序图。

图2是根据图1制造的基于石墨烯的薄膜层叠体的示意图。

图3a以及图3b分别为根据比较例1的基于石墨烯的层叠体以及根据实施例1的基于石墨烯的AZO薄膜层叠体的扫描式电子显微镜(SEM)图像。

图4是关于根据比较参照例1的基于石墨烯的层叠体以及根据参照例1的基于石墨烯的AZO薄膜层叠体的光穿透率测量结果。

图5是关于根据实施例2的基于石墨烯的AZO薄膜层叠体以及根据比较例1～3的基于石墨烯的层叠体或者AZO薄膜层叠体的平均面电阻测量结果。

图6是根据一实施例的有机发光元件的示意图。

图7是根据一实施例的背栅(back-gated)电场效应晶体管(FET)的示意图。