[发明专利]紫外光发光二极管封装方法在审

专利信息
申请号: 201610093697.0 申请日: 2016-02-19
公开(公告)号: CN107086262A 公开(公告)日: 2017-08-22
发明(设计)人: 钱文正;吴上义 申请(专利权)人: 联京光电股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/56;H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 紫外光 发光二极管 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种紫外光发光二极管的封装方法,包含以下步骤:

(S1)提供一承载片,该承载片上连接有一电极;

(S2)固定一紫外光芯片于该承载片上,电连接该电极;

(S3)覆盖一透明热固型含硅氧溶液于该紫外光芯片;以及

(S4)进行一热固化制作工艺。

2.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该透明热固型含硅氧溶液为旋涂式玻璃(Spin-on glass,SOG)。

3.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该步骤(S3)包含以下步骤:

(S3A)将该透明热固型含硅氧溶液注胶于该承载片上,覆盖该紫外光芯片;

(S3B)旋转该承载片,使该透明热固型含硅氧溶液平铺于该承载片,并完整覆盖该承载片、该紫外光芯片与该电极;以及

(S3C)于300~600℃环境下进行该热固化制作工艺,以干燥该透明热固型含硅氧溶液。

4.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该部分该电极上覆盖有一绝缘层。

5.如权利要求4所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该步骤(S3)包含以下步骤:

(S3A’)将该透明热固型含硅氧溶液注胶于该承载片上,覆盖该紫外光芯片;

(S3B’)旋转该承载片,使该透明热固型含硅氧溶液完整覆盖该紫外光芯片以及未被该绝缘层覆盖的部分该电极;以及

(S3C’)于300~600℃环境下进行该热固化制作工艺,以干燥该透明热固型含硅氧溶液。

6.如权利要求5所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该紫外光芯片包含一芯片电极,该芯片电极与该电极直接接触以电连接该电极。

7.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该紫外光芯片是以一金属导线与该电极电连接。

8.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该步骤(S3)包含以下步骤:

(S3A”)将该透明热固型含硅氧溶液注胶于该承载片上,覆盖该紫外光芯片;

(S3B”)压模使该透明热固型含硅氧溶液平铺于该承载片,并完整覆盖该承载片、该紫外光芯片与该电极;以及

(S3C”)于300~600℃环境下进行该热固化制作工艺,以干燥该透明热固型含硅氧溶液。

9.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该电极上设有一凹杯结构,环绕该紫外光芯片。

10.如权利要求9所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该凹杯结构的一上表面与一内侧表面覆盖有一绝缘层。

11.如权利要求9所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该步骤(S3)包含以下步骤:

(S3a)将该透明热固型含硅氧溶液注胶于该承载片上,形成一弧面体覆盖该紫外光芯片与该凹杯结构;以及

(S3b)于300~600℃环境下进行该热固化制作工艺,以干燥该弧面体。

12.如权利要求9所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该步骤(S3)包含以下步骤:

(S3a’)将该透明热固型含硅氧溶液注胶于该承载片上,覆盖该紫外光芯片与该支架;

(S3b’)旋转该承载片,使该透明热固型含硅氧溶液平铺于该承载片,并完整覆盖该承载片、该紫外光芯片、该电极与该支架;以及

(S3c’)于300~600℃环境下进行该热固化制作工艺,以干燥该透明热固型含硅氧溶液。

13.如权利要求9所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该步骤(S3)包含以下步骤:

(S3a”)将该透明热固型含硅氧溶液注胶于该承载片上,覆盖该紫外光芯片;

(S3b”)压模使该透明热固型含硅氧溶液平铺于该承载片,并完整覆盖该承载片、该紫外光芯片、该电极与该支架;以及

(S3c”)于300~600℃环境下进行该热固化制作工艺,以干燥该透明热固型含硅氧溶液。

14.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装方法,其中该热固化制作工艺于300~600℃环境下进行。

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