[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法以及评价薄膜晶体管特性的方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括有源层、源极和漏极，所述源极和漏极位于有源层上方，且所述源极、漏极与有源层之间设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层中设置有源极接触孔，以使源极和有源层接触，其特征在于，所述漏极包括第一漏极区和n个相同的第二漏极区，n为大于1的正整数；

所述n个第二漏极区环绕所述第一漏极区设置，且所述n个第二漏极区彼此相分离，并且每个第二漏极区与所述第一漏极区之间在漏极所在层上相分离；

所述第一绝缘层中与第一漏极区对应的区域设置有漏极接触孔，以使所述第一漏极区与有源层接触；

所述第一绝缘层下方设置有n个导电连接区，每个导电连接区与第一漏极区对应，且分别与一个第二漏极区对应；

所述第一绝缘层中与第一漏极区对应的区域设置有n个第一接触孔，用以使所述第一漏极区分别与n个导电连接区接触；所述第一绝缘层中与每个第二漏极区对应的区域设置有一个第二接触孔，以使每个第二漏极区和与其对应的导电连接区接触；

所述第一漏极区通过贯穿所述第一绝缘层的漏极接触孔与所述有源层相连，所述源极通过贯穿所述第一绝缘层的源极接触孔与所述有源层相连。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，每个导电连接区与第一漏极区之间的第一接触孔的孔径等于该导电连接区和与其对应第二漏极区之间的第二接触孔的孔径；

且所述n个导电连接区与第一漏极区之间的第一接触孔的孔径依次递增或递减。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述n个导电连接区的材料不同。

4.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

形成有源层的步骤，以及形成n个导电连接区的步骤，其中n为大于1的正整数，n个所述导电连接区环绕所述有源层设置；

形成第一绝缘层的步骤；

在第一绝缘层中与有源层对应的区域分别形成源极接触孔和漏极接触孔，以及，在第一绝缘层中与每个导电连接区对应的区域分别形成第一接触孔、第二接触孔的步骤；

形成源极、包含第一漏极区和n个第二漏极区的漏极的步骤，其中，所述源极接触孔与所述源极相对应，以使得所述源极通过所述源极接触孔与所述有源层电连接，所述漏极接触孔与所述第一漏极区对应，以使得所述漏极通过所述漏极接触孔与所述有源层相连，所述第一漏极区通过所述第一接触孔与相应的导电连接区相连，所述第二漏极区通过相应的第二接触孔与所述导电连接区相连。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成有源层之前形成缓冲层。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成第一绝缘层之前，形成栅极绝缘层和栅极的图形。

7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，与n个导电连接区对应的第一接触孔的孔径依次递增或递减；

且与同一个导电连接区对应的第一接触孔和第二接触孔的孔径相同。

8.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，形成n个导电连接区的材料不同。

9.一种接触孔大小对薄膜晶体管特性的影响的评价方法，其特征在于，包括：

制备权利要求1所述的薄膜晶体管，使源极、第一漏极区和n个第二漏极区之间形成n个薄膜晶体管结构的源极和漏极，且该n个薄膜晶体管结构中，每个导电连接区与第一漏极区之间的第一接触孔的孔径等于该导电连接区和与其对应第二漏极区之间的第二接触孔的孔径，且n个所述第一接触孔的孔径递增或递减；

测试所述n个薄膜晶体管结构的特性；

根据所述n个薄膜晶体管结构的特性，评价不同第一接触孔孔径对薄膜晶体管特性的影响。

10.一种接触材料对薄膜晶体管特性的影响的评价方法，其特征在于，包括：

制备权利要求1所述的薄膜晶体管，使源极、第一漏极区和n个第二漏极区之间形成n个薄膜晶体管结构的源极和漏极，且该n个薄膜晶体管结构中，n个导电连接区的材料不同；

测试所述n个薄膜晶体管结构的特性；

根据所述n个薄膜晶体管的特性，评价不同导电连接区材料对薄膜晶体管特性的影响。