[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法以及评价薄膜晶体管特性的方法

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法以及评价薄膜晶体管特性的方法。所述薄膜晶体管包括的源极和漏极位于有源层上方，且源极、漏极与有源层之间设有第一绝缘层，第一绝缘层中设有源极接触孔，漏极包括第一漏极区和n个相同的第二漏极区，n≥2；n个第二漏极区环绕第一漏极区设置，且n个第二漏极区彼此相分离；第一绝缘层中与第一漏极区对应的区域设有漏极接触孔；第一绝缘层下方设置有n个导电连接区，每个导电连接区与第一漏极区对应，且与一个第二漏极区对应；第一绝缘层中与第一漏极区对应的区域设有n个第一接触孔；第一绝缘层中与每个第二漏极区对应的区域设有一个第二接触孔。利用上述薄膜晶体管测试TFT特性时，可以提高准确性。

技术领域

本发明涉及晶体管领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管及其制备方法，以及一种接触孔大小对薄膜晶体管特性的影响的评价方法，以及一种接触材料对薄膜晶体管特性的影响的评价方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下简称为TFT)是现有显示面板中的重要器件，其特性对于显示面板的显示品质具有直接的影响；因此，在制备显示面板时，需要对TFT进行测试，检测TFT的特性，以使显示面板中的TFT能够满足实现特定显示品质的要求。

图1为现有TFT结构的俯视示意图，图2为图1所示TFT结构沿A-A的剖视图。如图1及图2所示，TFT结构包括栅极10、栅极绝缘层11、有源层12、源极13和漏极14。其中，漏极14包括第一漏极区140、第二漏极区141，且第一漏极区140、第二漏极区141之间彼此分离而不接触(在漏极14所在层上)。源极13和漏极14同层设置，有源层12位于源极13和漏极14的下方，而与有源层12同层设置导电连接区15，导电连接区15分别与与第一漏极区140、第二漏极区141对应。有源层12、导电连接区15所在层与源极13、漏极14所在层之间设置有第一绝缘层16(该层在图1中未示出)，所述第一绝缘层16中设置源极接触孔和漏极接触孔，分别用于使源极13与有源层12接触，以及使第一漏极区140与有源层12接触；从而源极13与第一漏极区140之间通过有源层12连接在一起。所述第一绝缘层16中还设置有第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔和第二接触孔分别用于使第一漏极区140与导电连接区15接触，以及使第二漏极区141与导电连接区15接触；从而，第一漏极区140和第二漏极区141通过导电连接区15连接在一起。

在测试TFT的特性时，一般需要制备多个上述TFT结构，且该多个TFT中的导电连接区15的材料不同，或者，第一接触孔162、第二接触孔163的孔径大小不同，并测试该多个TFT的性能，以此来评价导电连接区15的材料，以及第一接触孔162、第二接触孔163的孔径对TFT特性的影响。但在实际测试过程中，由于在制备多个TFT的过程中会存在误差，使得该多个TFT很难完全相同，因此，在评价评价导电连接区15的材料，以及第一接触孔162、第二接触孔163的孔径对TFT特性的影响时，无法完全排除其他因素的影响，从而使所得出的结果不准确。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管及其制备方法，其能够在测试不同漏极结构参数对TFT的特性的影响时，排除其他因素的影响，从而提高检测的准确性。