[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201610101972.9 | 申请日: | 2016-02-24 |
公开(公告)号: | CN105762154B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 王瑞瑞;陈华斌;王琳琳;崔晓鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制备方法,所述制备方法包括:
在衬底基板上方形成第一金属走线;
形成覆盖所述第一金属走线的层间绝缘层;
在所述层间绝缘层上形成第二金属走线;所述第二金属走线平行于所述第一金属走线,且与所述第一金属走线有重叠;所述第一金属走线与所述第二金属走线相重叠的区域为第一区域,所述第一金属走线除所述第一区域之外的区域为第二区域,所述第二金属走线除所述第一区域之外的区域为第三区域;
形成覆盖所述第二金属走线的保护层;
其特征在于,所述第一金属走线与所述第二金属走线互为公共电极线与数据线;所述制备方法还包括:
对所述层间绝缘层至少对应于所述第一区域的部分进行减薄处理,且对除所述第二区域和所述第三区域之外的部分不进行减薄处理;
和/或,
对所述保护层至少对应于所述第一区域的部分进行减薄处理,且对除所述第二区域和所述第三区域之外的部分不进行减薄处理;
其中,对所述层间绝缘层对应于所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域的部分进行减薄处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,
对所述层间绝缘层至少对应于所述第一区域的部分进行减薄处理,以使所述层间绝缘层至少对应于所述第一区域的部分厚度减薄至所述层间绝缘层原本厚度的45%~65%;
和/或,
对所述保护层至少对应于所述第一区域的部分进行减薄处理,以使所述保护层至少对应于所述第一区域的部分厚度减薄至所述保护层原本厚度的45%~65%。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述对所述保护层至少对应于所述第一区域的部分进行减薄处理,且对除所述第二区域和所述第三区域之外的部分不进行减薄处理,包括:
对所述保护层对应于所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域的部分进行减薄处理。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述公共电极线的线宽大于所述数据线的线宽,且沿线宽方向,所述公共电极线在所述衬底基板上的投影完全覆盖所述数据线在所述衬底基板上的投影。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述公共电极线未与所述数据线相重叠的区域位于所述数据线的两侧。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述公共电极线位于所述数据线两侧的部分宽度相同。
7.一种阵列基板,所述阵列基板包括:位于衬底基板上方的第一金属走线;覆盖所述第一金属走线的层间绝缘层;位于所述层间绝缘层上的第二金属走线;所述第二金属走线平行于所述第一金属走线,且与所述第一金属走线有重叠;覆盖所述第二金属走线的保护层;其特征在于,所述第一金属走线与所述第二金属走线互为公共电极线与数据线;所述第一金属走线与所述第二金属走线相重叠的区域为第一区域,所述第一金属走线除所述第一区域之外的区域为第二区域,所述第二金属走线除所述第一区域之外的区域为第三区域;所述层间绝缘层至少对应于所述第一区域的部分厚度小于所述层间绝缘层除所述第二区域和所述第三区域之外的部分厚度;和/或,所述保护层至少对应于所述第一区域的部分厚度小于所述保护层除所述第二区域和所述第三区域之外的部分厚度;
其中,所述层间绝缘层对应于所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域的部分厚度小于所述层间绝缘层除所述第一区域、所述第二区域和第三区域之外的部分厚度。
8.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求7所述的阵列基板。
9.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求8所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的