[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201610101972.9 | 申请日: | 2016-02-24 |
公开(公告)号: | CN105762154B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 王瑞瑞;陈华斌;王琳琳;崔晓鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,涉及显示技术领域,可减少高开口率的像素设计中公共电极线与数据线交叠处与像素电极区域的高度差,改善Zara不良。该制备方法包括:形成第一金属走线、层间绝缘层、第二金属走线、形成保护层;第二金属走线平行于第一金属走线,且与第一金属走线有重叠;第一、第二金属走线互为公共电极线与数据线;对层间绝缘层至少对应于第一区域的部分进行减薄处理,且对除第二、第三区域之外的部分不进行减薄处理;和/或,对保护层至少对应于第一区域的部分进行减薄处理,且对除第二、第三区域之外的部分不进行减薄处理。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示面板、显示装置的制备。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
目前高开口率的像素单元设计是将公共电极线(Com Line)设置地与数据线(DataLine)平行,且位于数据线的下方,即两种信号线的上下位置有重叠,从而减小两种信号线交错设置时对像素单元AA(Active Area,有效显示区域)区面积的占用,提高像素单元的开口率。
在实现上述高开口率的像素单元设计的过程中,发明人发现现有的开口率的像素单元设计至少存在如下问题:
如图1所示,由于数据线41与公共电极线21上下重叠设置,使得位于阵列基板最外层的取向层70在对应于数据线41的位置与对应于像素电极60的位置处的高度差较图2所示的常规产品(即两种信号线交错设置的低开口率设置像素单元)高出近(数据线41的厚度)的厚度,这一段差会导致通过摩擦辊02对取向层70进行摩擦取向时,取向层70在像素单元的边缘靠近数据线41的两侧处出现摩擦取向异常区域,出现与像素单元内部的AA区位置取向不一致,使得液晶显示面板在对应于该摩擦取向异常区域出现Zara不良,即出现如图3所示的一条相错的亮线,影响显示品质。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,可减少在高开口率的像素设计中公共电极线与数据线交叠处与像素电极区域的高度差,进而改善液晶显示装置的Zara不良。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面、本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法,所述制备方法包括:在衬底基板上方形成第一金属走线;形成覆盖所述第一金属走线的层间绝缘层;在所述层间绝缘层上形成第二金属走线;所述第二金属走线平行于所述第一金属走线,且与所述第一金属走线有重叠;所述第一金属走线与所述第二金属走线相重叠的区域为第一区域,所述第一金属走线除所述第一区域之外的区域为第二区域,所述第二金属走线除所述第一区域之外的区域为第三区域;形成覆盖所述第二金属走线的保护层;所述第一金属走线与所述第二金属走线互为公共电极线与数据线;所述制备方法还包括:对所述层间绝缘层至少对应于所述第一区域的部分进行减薄处理,且对除所述第二区域和所述第三区域之外的部分不进行减薄处理;和/或,对所述保护层至少对应于所述第一区域的部分进行减薄处理,且对除所述第二区域和所述第三区域之外的部分不进行减薄处理。
可选的,对所述层间绝缘层至少对应于所述第一区域的部分进行减薄处理,以使所述层间绝缘层至少对应于所述第一区域的部分厚度减薄至所述层间绝缘层原本厚度的45%~65%;和/或,对所述保护层至少对应于所述第一区域的部分进行减薄处理,以使所述保护层至少对应于所述第一区域的部分厚度减薄至所述保护层原本厚度的45%~65%。
可选的,所述对所述层间绝缘层至少对应于所述第一区域的部分进行减薄处理,且对除所述第二区域和所述第三区域之外的部分不进行减薄处理,包括:对所述层间绝缘层对应于所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域的部分进行减薄处理。
可选的,所述对所述保护层至少对应于所述第一区域的部分进行减薄处理,且对除所述第二区域和所述第三区域之外的部分不进行减薄处理,包括:对所述保护层对应于所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域的部分进行减薄处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的