[发明专利]场致离子发射体的制备方法在审
| 申请号： | 201610104405.9 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN105609394A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘宇明;张凯;李蔓;赵春晴;刘向鹏 | 申请（专利权）人： | 北京卫星环境工程研究所 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;F03H1/00;B82Y40/00;C23C14/24;C23C14/35 |
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| 地址： | 100094 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 发射 制备 方法 | ||
1.一种场致离子发射体制备方法，包括如下步骤：
在碳纳米管阵列表面，通过热蒸镀或者电子束蒸发、磁控溅射方法在碳 纳米管阵列表面镀上一层低熔点金属铟(In)或镓(Ga)，作为场致发射的 发射体。
2.如权利要求1所述的场致离子发射体制备方法，其中，所述碳纳米管 阵列通过CVD法制备，在基底上生长出取向排列的碳纳米管阵列。
3.如权利要求2所述的场致离子发射体制备方法，其中，所述基底为硅 或金属。
4.如权利要求2所述的场致离子发射体制备方法，其中，所述金属为铁 或铜。
5.如权利要求1所述的场致离子发射体制备方法，其中，将碳纳米管阵 列放入真空镀膜设备中，将块状金属铟或者镓放入蒸发器皿中，在真空条件 下，利用电阻加热方法或者电子束加热方法，将金属铟或者镓加热融化，并 蒸发，直至需要的镀膜厚度。
6.如权利要求1所述的场致离子发射体制备方法，其中，通过控制镀膜 的厚度获得不同曲率半径的纳米线，作为场致离子的发射体。
7.如权利要求1所述的场致离子发射体制备方法，其中，碳纳米管阵列 中碳纳米管尖端曲率半径与碳纳米管直径基本一致，为20nm左右。
8.如权利要求1所述的场致离子发射体制备方法，其中，通过控制加热 温度，调节镀膜速率，镀膜速率为0.1nm/s至5nm/s，直至达到需要的厚度， 厚度在100nm以下。
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