[发明专利]记忆体电路

权利要求书

1.一种记忆体电路，其特征在于，包含：

一晶体管开关，其包含一栅极结构，一源极及一漏极；

一绝缘结构，覆盖该晶体管开关的上方及周围；

多个记忆单元层，所述多个记忆单元层设置于该绝缘结构上方且呈垂直堆叠，其中所述多个记忆单元层每一者包含：一导电底板，与该晶体管开关的该源极之间以一源极接触孔电性连接；多个二极管结构，位于该导电底板上；多个记忆单元，分别位于所述多个二极管结构上，所述多个记忆单元与所述多个二极管结构一一对应连接；以及多个导电层，与该导电底板成垂直排列，一对一对应设 置于所述多个记忆单元上；以及

一金属层结构，与该晶体管开关的该漏极之间以一漏极接触孔电性连接。

2.根据权利要求1所述的记忆体电路，其特征在于，该金属层结构，位于所述多个记忆单元层上方。

3.根据权利要求1所述的记忆体电路，其特征在于，该金属层结构，设置于所述多个记忆单元层下方的该绝缘结构中。

4.根据权利要求3所述的记忆体电路，其特征在于，该金属层结构包含：

一第一金属层，俯视呈长方形状，该第一金属层的一第一端与该漏极接触孔连接；

一第二金属层，俯视呈长条状且与该第一金属层垂直，该第二金属层设置于该第一金属层上，且与该第一金属层的一第二端连接。

5.根据权利要求1所述的记忆体电路，其特征在于，该晶体管开关包含一场效晶体管或一鳍状场效晶体管。

6.根据权利要求1所述的记忆体电路，其特征在于，该栅极结构包含：

一栅极介电层；

一栅极电极，位于该栅极介电层上；以及

一隔离层，位于该栅极电极的上方，该隔离层包覆该栅极电极。

7.根据权利要求1所述的记忆体电路，其特征在于，

所述多个记忆单元每一者包含一相变化记忆体或一电阻式记忆体；

所述多个二极管结构每一者分别包含：

一N型半导体层，位于该底板上；

一P型半导体层，位于该N型半导体层上，与相应的记忆单元层接触。