[发明专利]一种减少切口的制造方法

权利要求书

1.一种减少切口的制造方法，其特征在于包括：

第一步骤：提供半导体基体，并且在所示半导体基体上形成掺氮碳化硅层；

第二步骤：在掺氮碳化硅层表面形成含碳低K介质层；

第三步骤：对含碳低K介质层在TEOS的环境中进行He等离子体处理， 由此在含碳低K介质层表面形成二氧化硅硬掩膜层；

第四步骤：在二氧化硅的硬掩膜层上，通过有氧等离子体增强沉积工艺沉 积一层TEOS硬掩膜层；

第五步骤：利用二氧化硅硬掩膜层和TEOS硬掩膜层，对含碳低K介质层 和掺氮碳化硅层进行刻蚀，从而在含碳低K介质层和掺氮碳化硅层中形成沟槽 和通孔；并且，随后执行湿法清洗。

2.根据权利要求1所述的减少切口的制造方法，其特征在于，二氧化硅硬 掩膜层的厚度介于40-150A之间。

3.根据权利要求1或2所述的减少切口的制造方法，其特征在于，在第三 步骤中，在等离子体增强正硅酸乙脂腔室中通入TEOS、氩气和氦气，通过使得 TEOS分解来形成二氧化硅硬掩膜层。

4.根据权利要求3所述的减少切口的制造方法，其特征在于，TEOS的流 量为50-500SCCM，氩气的流量为1000-3000SCCM，氦气的流量 2000-5000SCCM。

5.根据权利要求3所述的减少切口的制造方法，其特征在于，向等离子体 增强正硅酸乙脂腔室内的上电极加载300～700W的射频信号；等离子体增强 正硅酸乙脂腔室的低频射频功率为100～300瓦；在300～500℃的温度条件、 2～8torr的气压条件下利用氦气等离子体处理含碳低K介质层。

6.根据权利要求1或2所述的减少切口的制造方法，其特征在于，TEOS 硬掩膜层的厚度在300-550A之间。

7.根据权利要求1或2所述的减少切口的制造方法，其特征在于，在第四 步骤中，向等离子体增强正硅酸乙脂腔室中通入TEOS、氧气、氩气和氦气，以 形成TEOS硬掩膜层。

8.根据权利要求7所述的减少切口的制造方法，其特征在于，TEOS的流 量为50-500SCCM、氧气的流量500-1500SCCM，氩气的流量1000-3000SCCM， 氦气的流量2000-5000SCCM。

9.根据权利要求7所述的减少切口的制造方法，其特征在于，向等离子体 增强正硅酸乙脂腔室内的上电极加载300～700W的射频信号；等离子体增强 正硅酸乙脂腔室的低频射频功率为100～300瓦；在300～500℃的温度条件、 2～8torr的气压条件下沉积一层TEOS作为TEOS硬掩膜层。