[发明专利]闪存结构

权利要求书

1.一种闪存结构，其特征在于包括：圆柱体N型硅结构、分别包裹在所述圆柱体N型硅结构的两端的P型源端区域和P型漏端区域、以及包裹在所述圆柱体N型硅结构中间区域的圆柱栅叠层结构；其中，所述圆柱栅叠层结构从内至外依次包括隧穿氧化层、硅纳米晶层、ONO层和控制栅层。

2.根据权利要求1所述的闪存结构，其特征在于，P型源端区域的一个端面与圆柱栅叠层结构的一个端面接触，而且P型漏端区域的一个端面与圆柱栅叠层结构的另一个端面接触。

3.根据权利要求1或2所述的闪存结构，其特征在于，圆柱体N型硅结构的与P型源端区域和P型漏端区域对应的部分的掺杂浓度大于圆柱体N型硅结构的与圆柱栅叠层结构对应的部分的掺杂浓度。

4.根据权利要求1或2所述的闪存结构，其特征在于，隧穿氧化层使用的材料是SiO₂，厚度为8nm。

5.根据权利要求1或2所述的闪存结构，其特征在于，硅纳米晶层的厚度为90nm。

6.根据权利要求1或2所述的闪存结构，其特征在于，ONO层中包括分别为3nm、9nm、6.5nm厚的SiO₂层、氮化物层、SiO₂层。

7.根据权利要求1或2所述的闪存结构，其特征在于，控制栅层使用的材料为多晶硅，厚度为175nm。

8.根据权利要求1或2所述的闪存结构，其特征在于，在硅纳米晶层中，纳米晶之间由二氧化硅分子隔开的；而且，每个纳米晶之间间隔为5nm。

9.根据权利要求1或2所述的闪存结构，其特征在于，所述闪存结构是NOR闪存结构。

10.根据权利要求1或2所述的闪存结构，其特征在于，圆柱体N型硅结构采用磷掺杂；P型源端区域和P型漏端区域采用硼掺杂。