[发明专利]一种OLED制备方法和OLED器件有效
| 申请号： | 201610109742.7 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105609658B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 顾鹏飞;刘凤娟;孙宏达 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 制备 方法 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种OLED制备方法，包括在有机膜层上直接形成阳极金属膜层并使所述阳极金属膜层形成包括阳极的图案的阳极层的步骤，其特征在于，
所述使所述阳极金属膜层形成包括所述阳极的图案的所述阳极层之前，先在所述阳极金属膜层上直接形成无机物膜层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述无机物膜层上形成光刻胶，使所述光刻胶形成与所述阳极相同的图案；
使所述无机物膜层图案化；
使所述阳极金属膜层形成所述阳极层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，通过干刻法使所述无机物膜层图案化。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，通过湿刻法使所述阳极金属膜层形成所述阳极层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相沉积法在所述阳极层之上形成所述无机物膜层的。
6.一种OLED器件，其特征在于，以权利要求1至5任一项所述的方法制备。
7.如权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述有机膜层为有机衬底。
8.如权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述阳极的材料为银、铝、铜材料。
9.如权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述无机物膜层的材料为氧化硅材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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