[发明专利]一种OLED制备方法和OLED器件有效
申请号: | 201610109742.7 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN105609658B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 顾鹏飞;刘凤娟;孙宏达 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 制备 方法 器件 | ||
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种OLED制备方法和OLED器件。
背景技术
目前的显示类型主要包括液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光二极管显示(Organic Light-Emitting Diode,OLED)、等离子显示(Plasma Display Panel,PDP)和电子墨水显示等多种。其中,OLED显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继LCD显示器之后的第三代显示技术,可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。
其中,有机衬底的OLED不仅具有传统OLED的优良特性,而且有机衬底良好的柔韧性使其不论在性能上还是用途上都具有更加诱人的应用前景。然而,有机衬底上形成图案化的阳极层后,在阳极层上采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)沉积无机物膜层时,由于无机物膜层制备过程中的物质或气体会与有机衬底发生反应(例如,采用SiH4和N2O作为气源,利用PECVD方法在等离子体环境中通过反应:SiH4+2N2O→SiO2+2N2+2H2制备SiO2薄膜的过程时,反应过程中所使用的气体N2O会与有机衬底发生反应),致使有机衬底会产生孔洞,而有机衬底产生的孔洞会导致OLED不良。
发明内容
本发明的目的是提供一种OLED制备方法和OLED器件,以解决在金属阳极上形成无机物膜层时,由于无机物膜层制备过程中的物质或气体与有机膜层反应,致使有机膜层出现孔洞导致OLED不良的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明实施例提供一种OLED制备方法,包括在有机膜层上形成阳极金属膜层并使所述阳极金属膜层形成包括阳极的图案的阳极层的步骤;
所述使所述阳极金属膜层形成包括所述阳极的图案的所述阳极层之前,先在所述阳极金属膜层上形成无机物膜层。
本发明实施例中,是在所述阳极金属膜层上先形成无机物膜层,该所述阳极金属膜层在无机物膜层形成过程中可以对有机膜层进行保护和隔离,使无机物膜层制备过程中的物质或气体不会与所述有机膜层接触,避免所述有机膜层出现孔洞,提高OLED的品质。
优选的,所述方法还包括:
在所述无机物膜层上形成光刻胶,使所述光刻胶形成与所述阳极相同的图案;
使所述无机物膜层图案化;
使所述阳极金属膜层形成所述阳极层。
优选的,通过干刻法使所述无机物膜层图案化。
优选的,通过湿刻法使所述阳极金属膜层形成所述阳极层。
优选的,通过等离子体增强化学气相沉积法在所述阳极层之上形成所述无机物膜层的。
本发明实施例提供一种OLED器件,以所述方法制备。
优选的,所述有机膜层为有机衬底。
优选的,所述阳极的材料为银、铝、铜材料。
优选的,所述无机物膜层的材料为氧化硅材料。
本发明实施例有益效果如下:在所述阳极金属膜层上先形成无机物膜层,该所述阳极金属膜层在无机物膜层形成过程中可以对有机膜层进行保护和隔离,使无机物膜层制备过程中的物质或气体不会与所述有机膜层接触,避免所述有机膜层出现孔洞,提高OLED的品质。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种OLED制备方法流程图;
图2为本发明实施例提供的一种较具体的OLED制备方法流程图;
图3为本发明实施例中,在有机膜层上形成金属膜层的示意图;
图4为本发明实施例中,在金属膜层上形成无机物膜层的示意图;
图5为本发明实施例中,在无机物膜层上进行刻蚀后的示意图;
图6为本发明实施例中,在无机物膜层上形成光刻胶膜层后的示意图;
图7为本发明实施例中,对无机物膜层的未被光刻胶遮挡的部分进行干刻后的示意图;
图8为本发明实施例中,对阳极金属膜层的未被光刻胶遮挡的部分进行湿刻后的示意图;
图9为本发明实施例中,去除光刻胶膜层后的示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择