[发明专利]一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：衬底；阳极，设于衬底上且背向衬底凸起；多个功能层，设于阳极上；阴极，设于多个功能层上；所述多个功能层包括量子点发光层、设于量子点发光层与阴极之间的电子传输层、设于阳极与量子点发光层之间的空穴注入层、设于空穴注入层与量子点发光层之间的空穴传输层，所述多个功能层和所述阴极在对应所述阳极凸起的位置相应凸起；

所述量子点发光层的材料为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、III-V族化合物半导体、IV-VI族化合物半导体、II-VI族化合物半导体形成的核壳结构材料、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体形成的核壳结构材料或Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体形成的核壳结构材料；

在阴极与阳极之间施加电压时，所述阳极侧的电场线分布密度大于阴极侧的电场线分布密度。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底或柔性衬底。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极为反射金属电极，所述反射金属电极为Al、Ag、Cu、Mo、Au或它们的合金。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层为PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS₂、WS₂、MoSe₂、WSe₂中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层为NPB、TPD、Poly-TPD、TFB、PVK、CBP、TCTA、mCP或它们的混合物。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层为ZnO、TiO₂、SnO、ZrO₂、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一种或多种。

7.一种显示器，其特征在于，包括TFT基板、设置于TFT基板上的像素界定层以及依次设置在像素界定层内的阳极、多个功能层以及阴极；所述多个功能层从内到外依次包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层以及电子传输层；

其中，所述阳极为凸起曲面结构，所述多个功能层以及阴极与阳极具有相应的凸起曲面结构；

在阴极与阳极之间施加电压时，所述阳极侧的电场线分布密度大于阴极侧的电场线分布密度。

8.一种如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、首先在衬底上沉积凸起曲面结构的阳极；

B、随后在阳极上蒸镀或者电化学沉积空穴注入层和空穴传输层；

C、接着在空穴传输层上电化学沉积量子点发光层；

D、最后在量子点发光层上蒸镀或电化学沉积电子传输层，然后溅射阴极。