[发明专利]一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法。本发明的量子点发光二级管中，阳极为凸起曲面结构，而沉积在其上的多个功能层以及阴极同样具有凸起曲面结构，这样整个QLED为曲面状，使得靠近阳极侧的电场线更加集中，电场强度更大，从而提高空穴的注入，进而提高QLED的性能。此外，这种曲面状的QLED由于其出光面积相对平面状QLED更大，且曲面状出光面还能减小光的全反射，因此提高了QLED的光取出效率，同样提高了QLED的性能。以这种曲面状QLED为发光元件的显示器，不仅性能更高，而且还能减小不同视角产生的色差和亮度偏差。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法。

背景技术

半导体量子点具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优良的特点。这些特点使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管（QLED）在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。

近年来，通过量子点材料合成工艺的改善以及器件结构的优化， QLED的性能有了大幅提升，但由于量子点材料的能级较深，电离势较大，使得现有的空穴传输层与量子点发光层之间的界面存在一个较大的空穴注入势垒，导致空穴注入较为困难，而电子注入则较为容易，从而引起QLED发光层中载流子不平衡，严重限制了QLED器件的性能。因此，提高空穴的注入，平衡发光层中的载流子，对于提高QLED器件的性能尤为关键。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法，旨在解决现有的QLED显示器件发光层中载流子不平衡的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管，其中，包括：衬底；阳极，设于衬底上且背向衬底凸起；多个功能层，设于阳极上；阴极，设于多个功能层上；所述多个功能层包括量子点发光层、设于量子点发光层与阴极之间的电子传输层、设于阳极与量子点发光层之间的空穴注入层、设于空穴注入层与量子点发光层之间的空穴传输层，所述多个功能层和所述阴极在对应所述阳极凸起的位置相应凸起；

所述量子点发光层的材料为III-V族化合物半导体、IV-VI族化合物半导体、IV-VI族化合物半导体、或II-VI族化合物半导体、Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体单核结构、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的至少一种形成的核壳结构材料；

在阴极与阳极之间施加电压时，所述阳极侧的电场线分布密度大于阴极侧的电场线分布密度。

所述的量子点发光二极管，其中，所述衬底为玻璃衬底或柔性衬底。

所述的量子点发光二极管，其中，所述阳极为反射金属电极，所述反射金属电极为Al、Ag、Cu、Mo、Au或它们的合金。

所述的量子点发光二极管，其中，所述空穴注入层为PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS₂、WS₂、MoSe₂、WSe₂中的一种或多种。

所述的量子点发光二极管，其中，所述空穴传输层为NPB、TPD、Poly-TPD、TFB、PVK、CBP、TCTA、mCP或它们的混合物。

所述的量子点发光二极管，其中，所述电子传输层为ZnO、TiO₂、SnO、ZrO₂、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一种或多种。

一种显示器，其中，包括TFT基板、设置于TFT基板上的像素界定层以及依次设置在像素界定层内的阳极、多个功能层以及阴极；所述多个功能层从内到外依次包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层以及电子传输层；