[发明专利]像素阵列基板有效
申请号: | 201610117649.0 | 申请日: | 2016-03-02 |
公开(公告)号: | CN105552090B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 卓伟民;黄郁升;陈嘉伟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;田景宜 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列基板,其特征在于,包括:
一基板,具有一第一表面、一第二表面与至少一穿孔,其中该第一表面与该第二表面相对,且该至少一穿孔贯穿该第一表面与该第二表面;
至少一导电物,设置于该至少一穿孔中;
多个像素单元,配置于该第一表面上,至少一该多个像素单元包括:
一主动元件,具有一栅极、与该栅极重叠设置的一通道以及分别与该通道两侧电性连接的一源极与一漏极;以及
一像素电极,与该漏极电性连接;
多条数据线,配置于该第一表面上,且该些像素单元与所对应的该些数据线的其中一条电性连接;
多条扫描线,配置于该第一表面上,且该些像素单元与所对应的该些扫描线的其中一条电性连接;
至少一移位寄存器,位于该第一表面上,用以传递一第一栅极信号至对应的该些扫描线;以及
至少一总线,藉由该至少一导电物与该至少一移位寄存器电性连接。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,该至少一导电物为多个导电物,且该至少一移位寄存器还包括:
一第一移位寄存器,位于该第一表面上;以及
一第二移位寄存器,位于该第二表面上;
其中该第一移位寄存器与该第二移位寄存器藉由其中之一的该些导电物电性连接,且该第一移位寄存器与该第二移位寄存器于一法线方向上重叠;
该些扫描线包括:
多条第一扫描线,该些第一扫描线电性连接该第一移位寄存器且用以接收该第一移位寄存器提供的该第一栅极信号;以及
多条第二扫描线,该些第二扫描线电性连接该第二移位寄存器且用以接收该第二移位寄存器提供的一第二栅极信号;
其中,该些第一扫描线与该些第二扫描线相互交错排列。
3.如权利要求2所述的像素阵列基板,其特征在于,该第二移位寄存器藉由其中之一的该些导电物与该些第二扫描线电性连接。
4.如权利要求2所述的像素阵列基板,其特征在于,该至少一总线还包括:
多条第一总线,位于该第一表面并透过该第一移位寄存器与该些第一扫描线电性连接;以及
多条第二总线,位于该第二表面并透过该第二移位寄存器与该些第二扫描线电性连接,其中该些第一总线与该些第二总线在该法线方向上对齐或错开。
5.如权利要求2所述的像素阵列基板,其特征在于,该第一移位寄存器与该第二移位寄存器分别具有一第一晶体管以及一第二晶体管,该第二晶体管透过其中之一的该些导电物与该第一晶体管电性连接,该第一晶体管包括:
一第一栅极,设置于该第一表面上;
一第一栅极绝缘层,设置于该第一栅极上;
一第一通道,设置于该第一栅极绝缘层上;
一第一源极与一第一漏极,设置于该第一通道上,且该第一源极或该第一漏极与相对应的该至少一总线电性连接。
6.如权利要求5所述的像素阵列基板,其特征在于,该第二晶体管包括:
一第二通道,设置于该第二表面;
一第二源极与一第二漏极,设置于该第二通道远离该基板的一侧,且该第二源极或该第二漏极与相对应的该总线电性连接;
一第二栅极绝缘层,覆盖该第二通道、该第二源极、该第二漏极与该第二表面;以及
一第二栅极,设置于该第二栅极绝缘层远离该第二通道的一侧,其中该第二通道位于该基板的该第二表面与该第二栅极之间。
7.如权利要求6所述的像素阵列基板,其特征在于,该第一栅极位于该第一通道与该基板的该第一表面之间。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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