[发明专利]制作薄膜晶体管的方法在审
| 申请号： | 201610118686.3 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106941081A | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张锡明;黄彦馀 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/339 | 分类号： | H01L21/339 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 | 代理人： | 王正茂,丛芳 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 薄膜晶体管 方法 | ||
1.一种制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述制作薄膜晶体管的方法包含以下步骤：
在基板上形成栅极；
在所述栅极上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成图案化主动层；
在所述图案化主动层和所述绝缘层上形成具有厚度的导电层；
减少所述导电层的第一部分的所述厚度，在所述图案化主动层上留下所述导电层的所述第一部分，所述第一部分上覆所述图案化主动层；以及
蚀刻所述导电层，以暴露出在所述导电层的所述第一部分下的所述图案化主动层。
2.如权利要求1所述的制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，蚀刻所述导电层是以SF6+O2等离子或CH4+O2等离子进行等离子蚀刻。
3.如权利要求1所述的制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，蚀刻所述导电层包含减少所述导电层的第二部分的所述厚度，其中所述导电层的所述第二部分上覆所述绝缘层。
4.如权利要求3所述的制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述制作薄膜晶体管的方法进一步包含移除所述导电层的所述第二部分。
5.如权利要求4所述的制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，在移除所述导电层的所述第二部分之前，进一步包含在所述图案化主动层上形成图案化保护光阻层。
6.如权利要求5所述的制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，在移除所述导电层的所述第二部分之后，进一步包含移除所述图案化保护光阻层。
7.如权利要求1所述的制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，减少所述导电层的所述第一部分的所述厚度包含：
在所述导电层上形成图案化光阻层，以暴露出所述导电层的所述第一部分，其中所述基板具有第一区域以及第二区域，所述第一区域环绕所述导电层的所述第一部分，在所述第一区域上的所述图案化光阻层具有第一厚度，所述第一厚度厚于所述第二区域上的所述图案化光阻层的第二厚度；以及
蚀刻所述导电层的所述第一部分。
8.如权利要求7所述的制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，形成所述图案化光阻层包含：
在所述导电层上形成光阻层；以及
借由灰阶光罩图案化所述光阻层。
9.如权利要求7所述的制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，在蚀刻所述导电层的所述第一部分之后，进一步包含移除具有所述第二厚度的所述图案化光阻层，以暴露出所述导电层的第二部分，其中所述导电层的所述第二部分上覆所述绝缘层。
10.如权利要求1所述的制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，在蚀刻所述导电层之后，进一步包含在所述导电层上形成图案化保护层，以及形成像素电极与所述导电层相连。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
