[发明专利]制作薄膜晶体管的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制作薄膜晶体管的方法，特别是涉及一种借由对导电层进行多步骤蚀刻工艺来制作薄膜晶体管的方法。

背景技术

薄膜晶体管被广泛应用于电脑晶片、手机晶片、液晶显示器等等，因此，薄膜晶体管的工艺也需要随之进一步发展。在传统的工艺中，在导电层覆盖主动层之前，通常会先图案化主动层，接下来，一般来说，会以等离子蚀刻导电层，以在一个步骤中形成薄膜晶体管的源极及漏极，但在移除覆盖在图案化主动层上的导电层后，等离子通常会集中轰击图案化主动层，而不会轰击其他层，例如：光阻层或是在导电层之下的绝缘层，使得图案化主动层容易被损伤或是效能变差。

在另一传统工艺中，导电层先形成在未被图案化的主动层上，接着蚀刻该导电层，之后，再图案化该主动层。然而，图案化主动层常常会因曝光时不精确的对准而变得不对称。该不对称的图案化主动层将使得后续的工艺以及设计更为复杂。

由于上述现存的问题，因此需要一种改善的制作薄膜晶体管的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制作薄膜晶体管的方法，可保护薄膜晶体管的图案化主动层，避免其在蚀刻过程中受到等离子的损伤，而能获得良好品质的薄膜晶体管。

本发明提供一种制作薄膜晶体管的方法，其包含下列步骤：在基板上形成栅极；在栅极上形成绝缘层；在绝缘层上形成图案化主动层；在图案化主动层和绝缘层上形成具有厚度的导电层；减少导电层的第一部分的厚度，在图案化主动层上留下导电层的第一部分，第一部分上覆图案化主动层；以及蚀刻导电层以暴露出在导电层的第一部分下的图案化主动层。

根据本发明的一实施方式，蚀刻导电层是以SF₆+O₂等离子或CH₄+O₂等离子进行等离子蚀刻。

根据本发明的一实施方式，蚀刻导电层包含减少导电层的第二部分的厚度，其中导电层的第二部分上覆绝缘层。

根据本发明的一实施方式，进一步包含移除导电层的第二部分。

根据本发明的一实施方式，在移除导电层的第二部分之前，进一步包含在图案化主动层上形成图案化保护光阻层。

根据本发明的一实施方式，在移除导电层的第二部分之后，进一步包含移除图案化保护光阻层。

根据本发明的一实施方式，减少导电层的第一部分的厚度包含：在导电层上形成图案化光阻层，以暴露出导电层的第一部分，其中基板具有第一区域以及第二区域，第一区域环绕导电层的第一部分，在第一区域上的图案化光阻层具有第一厚度，第一厚度厚于第二区域上的图案化光阻层的第二厚度；以及蚀刻导电层的第一部分。

根据本发明的一实施方式，形成图案化光阻层包含：在导电层上形成光阻层；以及借由灰阶光罩图案化光阻层。

根据本发明的一实施方式，在蚀刻导电层的第一部分之后，进一步包含移除具有第二厚度的图案化光阻层，以暴露出导电层的第二部分，其中导电层的第二部分上覆绝缘层。

根据本发明的一实施方式，在蚀刻导电层之后，进一步包含在导电层上 形成图案化保护层，以及形成像素电极与导电层相连。

本发明的优点在于利用两个步骤对于在图案化主动层上的导电层进行图案化，首先，减少在图案化主动层上的导电层的厚度，在图案化主动层上仍留下一部分的导电层，接下来，再蚀刻图案化主动层上剩余的导电层以暴露出图案化主动层，并形成薄膜晶体管的源极及漏极，但不损伤图案化主动层，而能够维持图案化主动层的表现。

附图说明

图1至图15是根据本发明的一实施方式所示的薄膜晶体管在各种制作阶段的剖面示意图。

具体实施方式