[发明专利]一种冗余金属填充的方法及系统

说明书

本发明提供了一种冗余金属填充的方法及系统，该方法包括：根据设计要求对不可填充区域进行外扩，得到外扩区域；对所述外扩区域进行余量分析，得到待填充区域；对待填充区域进行矩形化处理，得到各矩形待填充区域；在各矩形待填充区域进行冗余金属填充。由于根据设计要求对不可填充区域进行外扩，并对外扩区域进行余量分析，可以避免现有技术中出现大块空白区域无法进行冗余金属填充的现象。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种冗余金属填充的方法及系统。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，半导体工艺结点在不断变小，全局平坦化变得越来越重要。化学机械平坦化(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工艺是超大规模电路制造中保持芯片表面全局平坦化的重要工艺。但是，由于金属和氧化物等介质在CMP过程中材料去除速率并不相同，因此，其工艺本身导致了两种平坦性缺陷的出现：金属碟形(dishing)和氧化层侵蚀(erosion)。冗余金属填充(Dummy Fill)技术是目前解决这一问题的主要手段。其原理是通过向网格内填充与电路不连通的金属小块来改变该网格的金属图形密度，从而提高版图图形密度的均匀性，改善芯片的平整度和电性能。其核心技术主要有两个：版图密度和填充数量分析技术、余量分析技术。

但是，在实际的工艺生产中，由于客户对芯片性能的特殊要求，某些大块空白区域无法进行冗余金属填充，从而导致该区域的平坦性无法保证，影响产品良率，甚至导致芯片流片失败。

发明内容

本发提供一种冗余金属填充的方法及系统，解决通过现有余量分析技术无法在不漏填充的前提下快速完成冗余金属填充的问题。

本发明提供了一种冗余金属填充的方法，包括步骤：

根据设计要求对不可填充区域进行外扩，得到外扩区域；

对所述外扩区域进行余量分析，得到待填充区域；

对待填充区域进行矩形化处理，得到各矩形待填充区域；

在各矩形待填充区域进行冗余金属填充。

优选地，所述根据设计要求对不可填充区域进行外扩，得到外扩区域包括：

根据设计要求设定外扩参数L；

对不可填充区域进行矩形化处理，得到不可填充区域的各矩形的各顶点坐标；

利用不可填充区域的各矩形的各顶点坐标，计算按照所述外扩参数L进行外扩的各外扩区域的各顶点坐标。

优选地，所述对所述外扩区域进行余量分析，得到待填充区域包括：

获取最小不可填充距离d；

将与外扩区域有重叠部分的非填充区域外扩d/2，得到各非填充外扩区域；

将去除各非填充外扩区域的所述外扩区域作为待填充区域。

优选地，在所述对待填充区域进行矩形化处理，得到各矩形待填充区域之后，所述方法还包括：

确定各矩形待填充区域的填充优先级，包括：

计算各矩形待填充区域质心到所述不可填充区域质心的距离；

设定所述距离越大的矩形待填充区域的填充优先级越高；

所述在各矩形待填充区域进行冗余金属填充包括：根据所述填充优先级对各矩形待填充区域进行冗余金属填充。

优选地，所述利用不可填充区域的各矩形的各顶点坐标，计算按照所述外扩参数L进行外扩的各外扩区域的各顶点坐标包括：