[发明专利]NAND FLASH闪存中状态码的验证方法及装置

说明书

本发明公开了一种NAND FLASH闪存中状态码的验证方法和装置，该方法包括：根据状态码占位数量确定多个候选状态码；从所述多个候选状态码中查找含有的置零位数量与状态序号对应的目标状态码，除擦除状态以外所述状态序号越大相应目标状态码含有的置零位数量越小；将原状态码替换为所述目标状态码；对所述目标状态码进行编程验证。按照本发明提供的状态码能够由小到大对多个状态的状态码进行编程验证时，序号较小的状态码含有的置零位数较多，且每个状态码被识别后相应的目标状态码会被排除，因此可实现每个状态码只需要预充一次总线即可进行程序检验，大幅减少总线预充次数，提高编程验证效率。

技术领域

本发明实施例涉及编程控制技术，尤其涉及一种计算机闪存设备NAND FLASH闪存中状态码的验证方法及装置。

背景技术

随着存储技术的发展，TLC闪存得到广泛使用。在对TLC进行编程时，通常需要进行多次编程才能完成，且每次编程与其他次编程之间有一定的顺序要求。用户在编程时必须严格按照NAND FLASH所要求的编程顺序去编程。在编程时，所有用户输入的数据都按照一定的规则对应到内部的状态中，编程后对编入的数据进行编程验证。每个状态代表某一种编码，编码和存储单元数据位的置位状态没有本质联系，只是逻辑上联系，所以只要确保输入或输出在用户接口上传输的数据和状态保持一致，就可以保证数据的正确性。

例如：TLC的一个存储单元存储的数据为3bit，对应存储单元的8个状态。采用格雷码对数据的状态编码进行表示，如表1所示，其中Data Latch表示数据位，E表示擦除状态erase，P1至P7分别表示状态1至状态7。每个状态由其状态码表示，如状态P1的状态码为110，状态P2的状态码为100。每个状态码与其相邻(左相邻或右相邻)的状态码仅有一个数据位不同，以状态P2为例，P2与P1的区别在于Data Latch 2不同，其他Data Latch即DataLatch 1和Data Latch 3均相同；P2与P3的区别在于Data Latch1不同，其他Data Latch即Data Latch 2和Data Latch 3均相同。

表1