[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具有DC-DC转换器，其特征在于：

所述半导体器件包括：

(a)高边用芯片搭载部，具有第一主面，其中所述高边用芯片搭载部由金属材料形成；

(b)低边用芯片搭载部，具有第二主面、形成于所述第二主面上的第一电镀层、和形成于所述第二主面上并且与所述第一电镀层隔开间隔的第二电镀层，其中，所述低边用芯片搭载部由金属材料形成；

(c)驱动器用芯片搭载部，具有第三主面，其中所述驱动器用芯片搭载部由金属材料形成；

(d)高边用半导体芯片，具有所述DC-DC转换器的高边金氧半场效晶体管，所述高边用半导体芯片具有第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，并且所述高边用半导体芯片以所述高边用半导体芯片的所述第一漏电极的表面面向所述高边用芯片搭载部的所述第一主面的方式搭载在所述高边用芯片搭载部的所述第一主面上；

(e)低边用半导体芯片，具有所述DC-DC转换器的低边金氧半场效晶体管，所述低边用半导体芯片具有第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，并且所述低边用半导体芯片以所述低边用半导体芯片的所述第二漏电极的表面面向所述第一电镀层的方式搭载在所述低边用芯片搭载部的所述第二主面上；

(f)驱动器用半导体芯片，具有用于控制所述高边金氧半场效晶体管的所述第一栅电极和所述低边金氧半场效晶体管的所述第二栅电极的驱动器电路，并且所述驱动器用半导体芯片搭载在所述驱动器用芯片搭载部的所述第三主面上；

(g)第一金属板，将所述高边用半导体芯片的所述源电极和所述第二电镀层电连接；以及

(h)密封部件，密封所述高边用芯片搭载部的一部分、所述低边用芯片搭载部的一部分、所述驱动器用芯片搭载部的一部分、所述高边用半导体芯片、所述低边用半导体芯片、所述驱动器用半导体芯片和所述第一金属板，

其中，所述低边用半导体芯片的所述第二源电极经由具有第一部分和第二部分的第二金属板与引线电连接，

其中，所述低边用半导体芯片的所述第二漏电极经由俯视观察下位于所述第一电镀层区域内的第一导电性附着材料与所述第一电镀层电连接，

其中，所述第一金属板经由俯视观察下位于所述第二电镀层区域内的第二导电性附着材料与所述第二电镀层电连接，

其中，所述高边用半导体芯片的所述第一源电极经由所述第一金属板、俯视观察下位于所述第二电镀层区域内的所述第二导电性附着材料、所述低边用芯片搭载部的所述第二电镀层、所述低边用芯片搭载部的所述金属材料、所述低边用芯片搭载部的所述第一电镀层、和俯视观察下位于所述第一电镀层区域内的所述第一导电性附着材料而与所述低边用半导体芯片的所述第二漏电极电连接，其中，所述第一金属板经由所述第二导电性附着材料将所述高边用半导体芯片的所述第一源电极与所述第二电镀层电连接，所述低边用芯片搭载部的所述第一电镀层经由所述第一导电性附着材料与所述低边用半导体芯片的所述第二漏电极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

其中，在俯视观察时，所述第一电镀层和所述第二电镀层之间的距离为100μm以上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

其中，所述高边用芯片搭载部和所述低边用芯片搭载部分别由铜或铜合金形成，

其中，所述第一导电性附着材料和所述第二导电性附着材料分别为焊锡。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

其中，所述第一电镀层和所述第二电镀层分别是银电镀层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

其中，在所述引线的第四表面上形成有第三电镀层和第四电镀层，并且所述第三电镀层和所述第四电镀层彼此分离，

其中，所述第二金属板的所述第一部分与所述第三电镀层电连接，所述第二金属板的所述第二部分与所述第四电镀层电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

其中，所述第二金属板通过焊接到所述第二源电极而与所述低边用半导体芯片的所述第二源电极接触。