[发明专利]半导体器件

说明书

本发明提供一种半导体器件。在半导体器件(SM1)的封装(PA)内包装了形成有功率金氧半场效晶体管的半导体芯片(4PH，4PL)、和形成有控制其动作的控制电路的半导体芯片(4D)，半导体芯片(4PH，4PL，4D)各自被搭载在印模焊垫(7D1，7D2，7D3)上。高边的半导体芯片(4PH)的源电极用的接合焊垫(12S1，12S2)，经由金属板(8A)与印模焊垫(7D2)电连接。在印模焊垫(7D2)的上表面设有形成于搭载了半导体芯片(4PL)的区域的电镀层(9b)、以及形成于接合有金属板(8A)的区域的电镀层(9c)，电镀层(9b)和电镀层(9c)经由未形成有电镀层的区域被隔开。本发明可提高半导体器件的可靠性。

本申请是申请日为2013年3月28日，申请号为201310116661.6，发明名称为“半导体器件”的发明专利申请的分案申请，是针对该发明专利申请的第二次审查意见通知书中指出的单一性问题而提交的分案申请，该发明专利申请是申请日为2009年6月10日、申请号为200910147421.6、发明名称为“半导体器件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明是有关一种半导体器件，特别是有关适用含DC-DC转换器的半导体器件有效的技术。

背景技术

近几年来，为了实现电源电路等的小型化及对应高速应答，因此对用于电源电路的功率金氧半场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)的高频化研究持续开展中。

在台式个人计算机或笔记本型个人计算机、服务器或游戏机等的CPU和DSP等方面有着大电流化及高频化的倾向。因此，为了能够对应大电流及高频的要求，构成用于控制所述CPU(Central Processing Unit)和DSP(Digital Signal Processor)的电源的非绝缘型DC-DC转换器的功率金氧半场效晶体管的技术开发也正在推展当中。

作为电源电路的一个例子被广泛地使用的DC-DC转换器具有将高边开关用的功率金氧半场效晶体管和低边开关用功率金氧半场效晶体管串联构成的结构。高边开关用的功率金氧半场效晶体管具有DC-DC转换器的控制用的开关功能，低边开关用的功率金氧半场效晶体管具有同步整流用的开关功能，根据这两个功率金氧半场效晶体管同步同时交替地导通/截止来进行电源电压的转换。

在日本公开特许公报特开2007-266218号公报(专利文献1)公开了一种关于半导体器件的技术，所述半导体器件是在一个封装(package)内包装形成有高边开关用功率金氧半场效晶体管的半导体芯片、形成有低边开关用的功率金氧半场效晶体管的半导体芯片、以及形成有控制其动作的控制电路的半导体芯片。

《专利文献1》

日本公开特许公报特开2007-266218号公报

发明内容

本案发明的发明者经过研究得出了以下的结果。

本案发明人对如下半导体器件加以研究，所述半导体器件为将形成有构成DC-DC转换器高边开关用的功率金氧半场效晶体管的半导体芯片、形成有低边开关用的功率金氧半场效晶体管的半导体芯片、以及形成有控制这些功率金氧半场效晶体管的动作的控制电路的半导体芯片密封于同一封装。

在所述半导体器件中，各半导体芯片分别被搭载于印模焊垫上。在DC-DC转换器的电路结构上，必须使形成有高边开关用的功率金氧半场效晶体管的半导体芯片的源电极与形成有低边开关用的功率金氧半场效晶体管的半导体芯片的漏电极电连接。这时，在形成有低边开关用的功率金氧半场效晶体管的半导体芯片由于在半导体芯片背面形成有漏极背面电极，因此，最好将半导体芯片焊接到印模焊垫上、并通过金属板将所述印模焊垫与形成有高边开关用的功率金氧半场效晶体管的半导体芯片的源电极用的接合焊垫(bondingpad)进行电连接。使用金属板比起使用接合导线(bonding wire)时更能降低导通损失，从而提高半导体器件的电特性。