[发明专利]一种紫外激光光刻方法

权利要求书

1.一种紫外激光光刻方法，其特征在于，包括：

提供待光刻半导体晶圆，对所述半导体晶圆涂覆光刻胶；

采用紫外激光发生器对所述半导体晶圆进行曝光，其中，所述紫外激光发生器出射紫外激光的路径上具有聚光镜组，以通过聚光镜组来形成高能量的紫外激光点；

所述聚光镜组包括：沿紫外激光发射方向依次设置的一个反射透镜和一个聚光透镜；

所述反射透镜靠近紫外激光发射一面为反射镜面，所述反射透镜在紫外激光发生器一侧表面具有透光微孔，所述透光微孔涂有抗反射涂层，其中，反射透镜将经过其自身的紫外光变成平行光束。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚光镜组可调节角度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射透镜和所述聚光透镜可以分开并单独使用。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在采用紫外激光发生器对所述半导体晶圆进行曝光之前，还包括：调节紫外激光发生器的波长和功率，使紫外激光能量集中。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述半导体晶圆进行曝光之后，还包括：采用紫外激光发生器对所述半导体晶圆进行重复曝光。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述重复曝光包括：将聚光镜组切换成反射透镜，在反射透镜和半导体晶圆之间设置光刻板，采用紫外激光发生器对所述半导体晶圆进行大面积曝光。