[发明专利]一种紫外激光光刻方法

说明书

本发明提供了一种紫外激光光刻方法，包括提供待光刻半导体晶圆，对所述半导体晶圆涂覆光刻胶；采用紫外激光发生器对所述半导体晶圆进行曝光，其中，所述紫外激光发生器出射紫外激光的路径上具有聚光镜组，从而可以通过调节紫光激光的能量和大小，进而可以采用尽可能高的能量和尽可能小的激光点进行曝光，以满足更快速、更高精度、更高成像质量的光刻要求。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种光刻方法。

背景技术

在半导体的制作过程成，经常需要通过光刻工艺来进行精密的图形化加工。现有的光刻方法是利用紫外灯发出的紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。

而紫外灯光刻却存在光源分辨率低、成像质量差、精度低等问题，无法满足需要更快速、更高精度、更高成像质量的光刻方法的需要。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种紫外激光光刻方法，以解决现有技术中紫外灯光刻分辨率低、成像质量差、精度低的问题。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种紫外激光光刻方法，其特征在于，包括：

提供待光刻半导体晶圆，对所述待光刻半导体晶圆涂覆光刻胶；

采用紫外激光发生器对所述半导体晶圆进行曝光，其中，所述紫外激光发生器出射紫外激光的路径上具有聚光镜组，以通过聚光镜组来形成高能量的紫外激光点。

优选的，所述聚光镜组包括：沿紫外激光发射方向依次设置的一个反射透镜和一个聚光透镜。

优选的，所述聚光镜组可调节角度。

优选的，所述反射透镜和所述聚光透镜可以分开并单独使用。

优选的，所述反射透镜靠近紫外激光发射一面为反射镜面。

优选的，所述反射透镜在紫外激光发生器一侧表面具有透光微孔。

优选的，所述透光微孔涂有抗反射涂层。

优选的，在采用紫外激光发生器对所述半导体晶圆进行曝光之前，还包括：调节紫外激光发生器的波长和功率，使紫外激光能量集中。

优选的，在对所述半导体晶圆进行曝光之后，还包括：采用紫外激光发生器对所述半导体晶圆进行重复曝光。

优选的，所述重复曝光包括：将聚光镜组切换成反射透镜，在反射透镜和半导体晶圆之间设置光刻板，采用紫外激光发生器对所述半导体晶圆进行大面积曝光。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的紫外激光光刻方法，采用紫外激光发生器对半导体晶圆进行曝光，在曝光的过程中，紫外激光发生器出射紫外激光的路径上具有聚光镜组，从而可以通过调节紫光激光的能量和大小，进而可以采用尽可能高的能量和尽可能小的激光点进行曝光，以满足更快速、更高精度、更高成像质量的光刻要求。

此外，通过可拆卸的聚光镜组，把聚光镜组切换成反射透镜，在完成实施例一的精细图案曝光后，半导体晶圆其余不需要精细图案光刻的地方通过光刻板进行大面积的曝光，不仅实现了高精度、高质量的光刻要求，还提高了光刻的速度，满足了大规模工业化的需求。

附图说明