[发明专利]薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层；

在所述第一栅极绝缘层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶层及第二光刻胶层，所述第一光刻胶层对应所述半导体层中待形成驱动薄膜晶体管的区域，所述第二光刻胶层对应所述半导体层中待形成开关薄膜晶体管的区域，所述第一光刻胶层的厚度大于所述第二光刻胶层的厚度；

以所述光刻胶图案为掩模，对所述半导体层及所述第一栅极绝缘层进行第一次刻蚀处理，以除去所述半导体层及所述第一栅极绝缘层上未被光刻胶图案覆盖的区域；

除去所述第二光刻胶层；

对所述第一栅极绝缘层进行第二次刻蚀处理，以除去至少部分所述第一栅极绝缘层未被第一光刻胶层覆盖的区域的厚度；

除去所述第一光刻胶层；

在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；

在所述第二栅极绝缘层上形成栅极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层，具体包括如下步骤：

在基板上依次形成缓冲层及非晶硅层；

将所述非晶硅层转化为多晶硅层，得到所述半导体层；

在所述半导体层上形成第一栅极绝缘层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，将所述非晶硅层转化为多晶硅层后，还包括：对所述多晶硅层进行沟道掺杂。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，采用等离子体化学气相沉积法在所述基板的表面形成所述缓冲层及所述非晶硅层。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，采用准分子激光退火的方法将所述非晶硅层转化为所述多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述第一栅极绝缘层上形成光刻胶图案，具体包括如下步骤：

在所述第一栅极绝缘层上形成光刻胶薄膜，采用半色调掩模板对所述光刻胶薄膜进行曝光和显影，形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶层和第二光刻胶层，其中，所述第一光刻胶层对应所述半导体层的图案中待形成驱动薄膜晶体管的区域，所述第二光刻胶层对应所述半导体层的图案中待形成开关薄膜晶体管的区域。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，通过灰化处理除去所述第二光刻胶层。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀技术除去所述第一光刻胶层。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述第二栅极绝缘层上形成栅极之后，还包括如下步骤：

以所述栅极作为掩膜，对所述半导体层进行离子注入，形成源极重掺杂区及漏极重掺杂区；

在所述栅极上方形成层间绝缘层；

在所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层及所述层间绝缘层上形成过孔；

在所述过孔内形成源极和漏极，并使所述源极与所述源极重掺杂区连接，所述漏极与所述漏极重掺杂区连接。