[发明专利]薄膜晶体管的制备方法

说明书

一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成光刻胶图案，光刻胶图案包括第一光刻胶层及第二光刻胶层，第一光刻胶层的厚度大于第二光刻胶层的厚度；以光刻胶图案为掩模，对半导体层及第一栅极绝缘层进行第一次刻蚀处理；除去第二光刻胶层；对第一栅极绝缘层进行第二次刻蚀处理，以除去至少部分第一栅极绝缘层未被第一光刻胶层覆盖的区域的厚度；除去第一光刻胶层；在第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层上形成栅极。上述薄膜晶体管的制备方法，增加了驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提高了AMOLED的驱动性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管的制备方法。

背景技术

AMOLED在能耗、色彩饱和度、对比度、柔性应用等方面相对于LCD显示出明显的优势，市场占有率迅速上升。AMOLED的pixel电路中，其薄膜晶体管可分为开关薄膜晶体管(Switch TFT)和驱动薄膜晶体管(Driver TFT)。Switch TFT作为数字电路的开关，工作在关态和后阈值区的开态、从产品功耗、PPI、开关速度等方面考虑，其亚阈值摆幅越小越好。Driver TFT控制流过OLED的电流，工作在亚阈值附近，为保证各灰阶的准确显示，其驱动能力不可过高。在尺寸相同的情况下，亚阈值摆幅越小、其驱动能力越大，因现有生产工艺，由于Driver TFT同switch TFT使用同样工艺流程，所以其亚阈值摆幅是相同的。为了保证Switch的开关能力，工艺上会一般会朝着将亚阈值摆幅降低的方向努力。对于Driver TFT只能通过增加栅极长度来降低其驱动能力，这是AMOLED显示电路中Driver TFT尺寸很大的一个重要原因。但随着PPI的增高，Layout空间越来越不足，Driver TFT的大尺寸已成为限制PPI继续增大的一个重要因素。

发明内容

基于此，针对上述问题，有必要提供一种薄膜晶体管的制备方法，在不改变栅极长度的前提下能够有效增加驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提高AMOLED的驱动性能。

一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：

在基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层；

在所述第一栅极绝缘层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶层及第二光刻胶层，所述第一光刻胶层对应所述半导体层中待形成驱动薄膜晶体管的区域，所述第二光刻胶层对应所述半导体层中待形成开关薄膜晶体管的区域，所述第一光刻胶层的厚度大于所述第二光刻胶层的厚度；

以所述光刻胶图案为掩模，对所述半导体层及所述第一栅极绝缘层进行第一次刻蚀处理，以除去所述半导体层及所述第一栅极绝缘层上未被光刻胶图案覆盖的区域；

除去所述第二光刻胶层；

对所述第一栅极绝缘层进行第二次刻蚀处理，以除去至少部分所述第一栅极绝缘层未被第一光刻胶层覆盖的区域的厚度；

除去所述第一光刻胶层；

在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；

在所述第二栅极绝缘层上形成栅极。

在其中一个实施例中，在所述基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层，具体包括如下步骤：

在基板上依次形成缓冲层及非晶硅层；

将所述非晶硅层转化为多晶硅层，得到所述半导体层；

在所述半导体层上形成第一栅极绝缘层。

在其中一个实施例中，将所述非晶硅层转化为多晶硅层后，还包括：对所述多晶硅层进行沟道掺杂。

在其中一个实施例中，采用等离子体化学气相沉积法在所述基板的表面形成所述缓冲层及所述非晶硅层。