[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一绝缘层及第二绝缘层，依序设置于一基底上，其中该基底具有一中心区域；

第一绕线部及第二绕线部，设置于该第二绝缘层内并围绕该中心区域，且分别包括由内向外排列的第一导线层、第二导线层及第三导线层，且多个第一导线层、多个第二导线层及多个第三导线层分别具有第一端及第二端，其中该多个第一导线层的多个第一端互相耦接；以及

耦接部，设置于该第一绕线部及该第二绕线部之间的该第一绝缘层及该第二绝缘层内，且该耦接部包括：

第一对连接层，交错连接该多个第一导线层及该多个第二导线层的多个第二端；以及

第二对连接层，交错连接该多个第二导线层及该多个第三导线层的多个第一端；

其中该第一导线层与相邻的该第二导线层之间具有多个不同的间距，且其中该第一导线层与相邻的该第二导线层之间的至少一间距大于该第二导线层与相邻的该第三导线层之间的间距。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括第三延伸部，设置于该第一绝缘层内，连接至该第一导线层或该第二导线层。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第三延伸部连接至一静电放电防护装置。

4.如权利要求2所述的半导体装置，还包括第一延伸部及第二延伸部，设置于该第二绝缘层内，对应连接至该多个第三导线层的多个第二端且彼此平行，其中该第一延伸部及该第二延伸部的延伸方向垂直于该第三延伸部的延伸方向。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一绕线部及该第二绕线部分别还包括第四导线层，位于该第三导线层的外侧且分别具有第一端及第二端，且其中该耦接部还包括第三对连接层，交错连接该多个第三导线层及多个第四导线层的多个第二端。

6.如权利要求5所述的半导体装置，还包括第一延伸部、第二延伸部及第三延伸部，该第一延伸部及该第二延伸部设置于该第二绝缘层内，对应连接至该多个第四导线层的多个第一端且彼此平行，该第三延伸部设置于该第一绝缘层内，连接至该第一导线层或该第二导线层，其中该第一延伸部及该第二延伸部的延伸方向垂直于该第三延伸部的延伸方向。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一对连接层及该第二对连接层包括分别设置于该第一绝缘层及该第二绝缘层内的两个跨接层。