[发明专利]光刻掩膜版的制造方法

权利要求书

1.一种光刻掩膜版的制造方法，包括：

提供透光基底以及位于透光基底顶部表面的掩膜版，所述掩膜版顶部表面形成有光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光处理以及显影处理，形成贯穿所述光刻胶层的第一沟槽以及第二沟槽，其中，所述第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度；

其特征在于，还包括：

形成填充满所述第一沟槽的第一掩膜层；

形成填充满所述第二沟槽的第二掩膜层；

去除所述光刻胶层；

以所述第一掩膜层以及第二掩膜层为掩膜刻蚀所述掩膜版直至暴露出透光基底表面，在所述第一掩膜层下方形成光学辅助线条掩膜，在所述第二掩膜层下方形成主图形掩膜，其中，所述光学辅助线条掩膜的宽度小于主图形掩膜的宽度；

去除所述第一掩膜层和第二掩膜层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层和第二掩膜层的工艺步骤包括：形成填充满所述第一沟槽和第二沟槽的填充掩膜，所述填充掩膜还覆盖光刻胶层顶部表面；去除高于所述光刻胶层顶部的填充掩膜，在所述第一沟槽内形成第一掩膜层，在所述第二沟槽内形成第二掩膜层。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用流动性化学气相沉积工艺或旋转涂覆工艺形成所述填充掩膜。

4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺或干法刻蚀工艺中的一种或两种，去除高于所述光刻胶层顶部的填充掩膜。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料与掩膜版的材料不同；所述第二掩膜层的材料与掩膜版的材料不同。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或氮化硼；所述第二掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或氮化硼。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度尺寸为50纳米～150纳米。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽与第二沟槽之间的光刻胶层的宽度为200纳米～600纳米。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽的剖面形貌为方形；所述第一沟槽位于第二沟槽的两侧。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为100纳米～300纳米。

11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一沟槽和第二沟槽之后、形成所述第一掩膜层和第二掩膜层之前，还包括步骤：对所述光刻胶层进行固化处理。

12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述固化处理采用的方法为热处理或紫外照射处理。

13.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶层的材料为正光阻材料。

14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，对所述光刻胶层进行曝光处理以及显影处理的工艺步骤包括：所述第一沟槽和第二沟槽所在的区域为曝光区域，对曝光区域的光刻胶层进行曝光处理；接着，对所述光刻胶层进行显影处理，去除曝光区域的光刻胶层，形成所述第一沟槽和第二沟槽。

15.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶层的材料为负光阻材料。