[发明专利]光刻掩膜版的制造方法

说明书

一种光刻掩膜版的制造方法，包括：提供透光基底、掩膜版以及光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理以及显影处理，形成第一沟槽以及第二沟槽，所述第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度；形成填充满第一沟槽的第一掩膜层；形成填充满第二沟槽的第二掩膜层；去除光刻胶层；以第一掩膜层以及第二掩膜层为掩膜刻蚀掩膜版直至暴露出透光基底表面，在第一掩膜层下方形成光学辅助线条掩膜，在第二掩膜层下方形成主图形掩膜，光学辅助线条掩膜的宽度小于主图形掩膜的宽度；去除第一掩膜层和第二掩膜层。本发明避免了定义光学辅助线条的掩膜倒掉的问题，提高了形成的光刻掩膜版的产品良率，减小光刻掩膜版重出的损耗。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光刻掩膜版的制造方法。

背景技术

在集成电路制造领域，光刻技术被用来将图案从包含电路设计信息的光刻掩膜版上转移到晶圆(wafer)上，其中的光刻掩膜版(mask)，也称为光刻版、掩膜版或者光罩，是一种对于曝光光线具有透光性的平板，其上具有对于曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形，所述几何图形为设计图形，可实现有选择的遮挡照射到晶片表面光刻胶上的光，并最终在晶圆表面的光刻胶上形成相应的图案。

随着器件朝向小型化微型化趋势发展，为了增加光刻掩膜版上的设计图形的工艺窗口，增加对焦深度，通常光刻掩膜版上除具有定义设计图形的主图形外，还在主图形的一侧或两侧设计光学辅助线条(Scattering Bar)，所述光学辅助线条为条状图形，并且，所述光学辅助线条不能在晶圆上成像。

然而，现有技术制造的光刻胶掩膜版的产品良率较低，光刻掩膜版重出的损耗较大。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光刻掩膜版的制造方法，提高制造的光刻掩膜版的产品良率，减小光刻掩膜版重出的损耗。

为解决上述问题，本发明提供一种光刻掩膜版的制造方法，包括：提供透光基底以及位于透光基底顶部表面的掩膜版，所述掩膜版顶部表面形成有光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光处理以及显影处理，形成贯穿所述光刻胶层的第一沟槽以及第二沟槽，其中，所述第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度；形成填充满所述第一沟槽的第一掩膜层；形成填充满所述第二沟槽的第二掩膜层；去除所述光刻胶层；以所述第一掩膜层以及第二掩膜层为掩膜刻蚀所述掩膜版直至暴露出透光基底表面，在所述第一掩膜层下方形成光学辅助线条掩膜，在所述第二掩膜层下方形成主图形掩膜，其中，所述光学辅助线条掩膜的宽度小于主图形掩膜的宽度；去除所述第一掩膜层和第二掩膜层。

可选的，形成所述第一掩膜层和第二掩膜层的工艺步骤包括：形成填充满所述第一沟槽和第二沟槽的填充掩膜，所述填充掩膜还覆盖光刻胶层顶部表面；去除高于所述光刻胶层顶部的填充掩膜，在所述第一沟槽内形成第一掩膜层，在所述第二沟槽内形成第二掩膜层。

可选的，采用流动性化学气相沉积工艺或旋转涂覆工艺形成所述填充掩膜。

可选的，采用化学机械研磨工艺或干法刻蚀工艺中的一种或两种，去除高于所述光刻胶层顶部的填充掩膜。

可选的，所述第一掩膜层的材料与掩膜版的材料不同；所述第二掩膜层的材料与掩膜版的材料不同。

可选的，所述第一掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或氮化硼；所述第二掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或氮化硼。

可选的，所述第一沟槽的宽度尺寸为50纳米～150纳米。

可选的，所述第一沟槽与第二沟槽之间的光刻胶层的宽度尺寸为200纳米～600纳米。

可选的，所述第一沟槽的剖面形貌为方形；所述第一沟槽位于第二沟槽的两侧。

可选的，所述光刻胶层的厚度为100纳米～300纳米。