[发明专利]一种保护环数量的测试方法及装置

权利要求书

1.一种保护环数量的测试方法，其特征在于，所述保护环置于PMOS及NMOS之间，所述保护环包括X个P型有源区及Y个N型有源区，X、Y均为自然数，所述方法包括：

确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围；

在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层；

计算所述虚拟层的数量，作为所述保护环的数量。

2.根据权利要求1所述的保护环数量的测试方法，其特征在于，所述在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层，包括：

获取介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域；

生成与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层。

3.根据权利要求2所述的保护环数量的测试方法，其特征在于，所述确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围，包括：

确定所述PMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标；

确定所述NMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标；

将所述PMOS的器件沟道区域与所述NMOS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边上的四个顶点坐标所确定的区域，作为介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围。

4.根据权利要求3所述的保护环数量的测试方法，其特征在于，所述PMOS的器件沟道区域与所述NMOS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边的距离≤50微米。

5.根据权利要求2所述的保护环数量的测试方法，其特征在于，所述获取介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域，包括：

确定所述P型有源区；

确定所述N型有源区；

在所述中间区域范围内，将任意相邻的所述P型有源区与所述N型有源区之间的矩形区域，作为所述介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域。

6.根据权利要求5所述的保护环数量的测试方法，其特征在于，所述相邻的P型有源区与所述N型有源区之间距离≤50微米。

7.一种保护环数量的测试装置，其特征在于，所述保护环置于PMOS及NMOS之间，所述保护环包括X个P型有源区及Y个N型有源区，X、Y均为自然数，所述装置包括：

中间区域确定单元，适于确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围；

虚拟层获取单元，适于在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层；

计算单元，适于计算所述虚拟层的数量，作为所述保护环的数量。

8.根据权利要求7所述的保护环数量的测试装置，其特征在于，所述虚拟层获取单元，包括：

区域获取子单元，适于获取介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域；

虚拟层生成子单元，适于生成与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层。

9.根据权利要求8所述的保护环数量的测试装置，其特征在于，所述中间区域确定单元，包括：

第一区域确定子单元，适于确定所述PMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标；

第二区域确定子单元，适于确定所述NMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标；

中间区域确定子单元，适于将所述PMOS的器件沟道区域与所述NMOS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边上的四个顶点坐标所确定的区域，作为介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围。

10.根据权利要求9所述的保护环数量的测试装置，其特征在于，所述PMOS的器件沟道区域与所述NMOS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边的距离≤50微米。