[发明专利]一种保护环数量的测试方法及装置

说明书

一种保护环数量的测试方法及装置，所述保护环置于PMOS及NMOS之间，所述保护环包括X个P型有源区及Y个N型有源区，X、Y均为自然数，所述方法包括：确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围；在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层；计算所述虚拟层的数量，作为所述保护环的数量。采用上述方案可以降低保护环数量测试的复杂度及测试时间。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种保护环数量的测试方法及装置。

背景技术

闩锁效应(latch-up)是半导体器件失效的主要原因之一，闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当n-p-n-p结构中其中任意一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、电过载(Electrical Over Stress，EOS)和电子元器件的损坏。为了避免闩锁效应，一般在PMOS及NMOS之间放置保护环(Guard ring)，具体是将保护环中的P型有源区(P+)环绕NMOS并接地，将N型有源区(N+)环绕PMOS并接高电平。

在器件制造之前的测试验证阶段，为了确定目标制造完成的器件与设计阶段所确定的保护环的数量一致，需要检测所述半导体器件中保护环的数量。

目前，可以使用如下方法来检测保护环的数量：首先确定PMOS及NMOS之间的中间区域，进而从所述中间区域中检测非P型有源区且非N型有源区的区域，并得到与所述非P型有源区且非N型有源区的区域对应的虚拟层，接着判断所述虚拟层是否介于所述P型有源区及N型有源区之间，最后计算所述介于所述P型有源区及N型有源区之间的虚拟层的数量，作为所述保护环的数量。

但是，使用上述测试方法确定保护环的数量，计算复杂度高，运算时间长。

发明内容

本发明解决的问题是如何降低保护环数量测试的复杂程度及运算时间。

为解决上述问题，本发明提供一种保护环数量的测试方法，所述保护环置于PMOS及NMOS之间，所述保护环包括X个P型有源区及Y个N型有源区，X、Y均为自然数，所述方法包括：确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围；在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层；计算所述虚拟层的数量，作为所述保护环的数量。

可选地，所述在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层，包括：获取介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域；生成与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层。

可选地，所述确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围，包括：确定所述PMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标；确定所述NMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标；将所述PMOS的器件沟道区域与所述NMOS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边上的四个顶点坐标所确定的区域，作为介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围。

可选地，所述PMOS的器件沟道区域与所述NMOS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边的距离≤50微米。

可选地，所述获取介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域，包括：确定所述P型有源区；确定所述N型有源区；在所述中间区域范围内，将任意相邻的所述P型有源区与所述N型有源区之间的矩形区域，作为所述介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域。

可选地，所述相邻的P型有源区与所述N型有源区之间距离≤50微米。

可选地，连续n个相同类型的有源区计为一个所述保护环，n＞1。