[发明专利]一种量子棒结构及其制作方法

权利要求书

1.一种量子棒结构，其特征在于，所述量子棒结构依次包括基板、取向 膜层和量子棒膜层，其中，所述取向膜层是具有特定方向的晶格结构的膜层。

2.根据权利要求1所述的量子棒结构，其特征在于，所述取向膜层的晶 格结构均匀排布，且排布方向一致。

3.根据权利要求2所述的量子棒结构，其特征在于，所述取向膜层的材 料包括单晶或多晶的无机物；或者，

所述取向膜层的材料包括固定晶格结构的有机物。

4.根据权利要求1所述的量子棒结构，其特征在于，所述取向膜层是在 外力、降温或腐蚀液腐蚀的条件下，形成的具有特定方向的晶格结构的膜层。

5.根据权利要求1所述的量子棒结构，其特征在于，所述取向膜层的厚 度为10-2000nm。

6.一种权利要求1-5任一权项所述的量子棒结构的制作方法，其特征在 于，该方法包括：

在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层；

在所述取向膜层上形成量子棒膜层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在基板上形成具有特定方 向的晶格结构的取向膜层，包括：

将所述取向膜层的材料通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成一膜 层；

通过腐蚀液腐蚀所述膜层，使所述膜层形成具有特定方向的晶格结构的取 向膜层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述腐蚀液包括磷酸、盐 酸或硝酸。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在基板上形成具有特定方 向的晶格结构的取向膜层，包括：

将所述取向膜层的材料通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成一膜 层；

按照0.5℃/s至2℃/s的速率范围降温所述膜层，使所述膜层形成具有 特定方向的晶格结构的取向膜层。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在基板上形成具有特定方 向的晶格结构的取向膜层，包括：

将所述取向膜层的材料通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成一膜 层；

对所述膜层施加外力，使所述膜层形成具有特定方向的晶格结构的取向膜 层。

11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述取向膜层上形成量 子棒膜层，包括：

将量子棒材料涂布在所述取向膜层上，形成量子棒膜层。