[发明专利]电子封装件及其半导体基板与制法

权利要求书

1.一种半导体基板，其特征为，该半导体基板包括：

一基板本体，其表面定义有一中央区与环绕该中央区的外围区；

多个导电穿孔，其形成于该基板本体的中央区中且贯穿该基板本体；以及

多个柱体，其形成于该基板本体的外围区中且未贯穿该基板本体，其中，该柱体含有导电材，部分该柱体位于该基板本体的上侧，部分该柱体位于该基板本体的下侧。

2.如权利要求1所述的半导体基板，其特征为，该基板本体为含硅的板体。

3.如权利要求1所述的半导体基板，其特征为，该基板本体上形成有电性连接该导电穿孔的线路重布结构。

4.一种半导体基板的制法，其特征为，该制法包括：

提供一基板本体，其表面定义有一中央区与环绕该中央区的外围区，且该基板本体的中央区形成有多个贯穿其中的导电穿孔；

形成多个盲孔于该基板本体的外围区上，其中，该盲孔未贯穿该基板本体；以及

形成柱体于该盲孔中，其中，该柱体含有导电材，部分该柱体位于该基板本体的上侧，部分该柱体位于该基板本体的下侧。

5.一种半导体基板的制法，其特征为，该制法包括：

提供一基板本体，其表面定义有一中央区与环绕该中央区的外围区；

形成多个盲孔于该基板本体的外围区上，形成多个穿孔于该基板本体的中央区上，且该穿孔的深度大于该盲孔的深度；以及

于该穿孔中形成导电穿孔，且于该盲孔中形成柱体，并使该导电穿孔贯穿该基板本体，而该柱体未贯穿该基板本体，其中，该柱体含有导电材，部分该柱体位于该基板本体的上侧，部分该柱体位于该基板本体的下侧。

6.如权利要求4或5所述的半导体基板的制法，其特征为，该基板本体为含硅的板体。

7.如权利要求4或5所述的半导体基板的制法，其特征为，该基板本体上形成有电性连接该导电穿孔的线路重布结构。

8.一种电子封装件，其特征为，该电子封装件包括：

封装基板；

半导体基板，其设于该封装基板上并定义有一中央区与环绕该中央区的外围区，且该外围区具有多个未贯穿该半导体基板的柱体及该中央区具有多个贯穿该半导体基板的导电穿孔，且该封装基板电性连接该导电穿孔，其中，该柱体含有导电材，部分该柱体位于该半导体基板的上侧，部分该柱体位于该半导体基板的下侧；

电子元件，其设于该半导体基板上且电性连接该导电穿孔；以及

封装层，其形成于该封装基板上以包覆该半导体基板与该电子元件。

9.如权利要求8所述的电子封装件，其特征为，该半导体基板为含硅的板体。

10.如权利要求8所述的电子封装件，其特征为，该半导体基板形成有一电性连接该导电穿孔的线路重布结构，以令该电子元件结合于该线路重布结构上。

11.如权利要求8所述的电子封装件，其特征为，该半导体基板形成有一电性连接该导电穿孔的线路重布结构，以令该线路重布结构结合该封装基板。

12.一种电子封装件的制法，其特征为，该制法包括：

提供一半导体基板，其表面定义有一中央区与环绕该中央区的外围区，该外围区形成有多个未贯穿其中的柱体及该中央区形成有多个贯穿其中的导电穿孔，其中，该柱体含有导电材，部分该柱体位于该半导体基板的上侧，部分该柱体位于该半导体基板的下侧；

分别设置电子元件与封装基板于该半导体基板的相对两侧，且该电子元件与封装基板电性连接该导电穿孔；以及

形成封装层于该封装基板上，以令该封装层包覆该电子元件与该半导体基板。

13.如权利要求12所述的电子封装件的制法，其特征为，该半导体基板为含硅的板体。