[发明专利]半导体装置结构

权利要求书

1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：

一半导体基底；

一内金属层，设置于该半导体基底上；

一顶部金属层，设置于该内金属层上，其中该顶部金属层具有一第一部分及一第二部分，其中该第一部分完全覆盖该内金属层，该第二部分围绕该第一部分，且该第一部分与该第二部分隔开；以及

一钝化层，设置于该顶部金属层上，其中该钝化层具有一挖空图案，该挖空图案包括一第一挖空区，以露出该顶部金属层。

2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，更包括：

一多晶硅层，位于该半导体基底与该内金属层间，其中该多晶硅层未被该顶部金属层的该第二部分覆盖。

3.如权利要求2所述的半导体装置结构，其特征在于，该挖空图案更包括一第二挖空区，该第一挖空区围绕该第二挖空区，且该第二挖空区露出该顶部金属层的该第一部分，且该多晶硅层未被该钝化层覆盖。

4.如权利要求2所述的半导体装置结构，其特征在于，该挖空图案的该第一挖空区，露出该顶部金属层的该第二部分，且该多晶硅层被该钝化层覆盖。

5.如权利要求2所述的半导体装置结构，其特征在于，该多晶硅层的一部分为薄膜电阻器。

6.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，该内金属层并未被该顶部金属层的该第二部分覆盖。

7.如权利要求3所述的半导体装置结构，其特征在于，该挖空图案更包括：

一连接部，其中该第一挖空区与该第二挖空区通过该连接部连接。

8.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，该内金属层包括：

一第一内金属层；以及

一第二内金属层，设置于该第一内金属层上，其中该第一内金属层及该第二内金属层由不连续的区块组成。

9.如权利要求8所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一内金属层与该第二内金属层垂直。

10.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：

一半导体基底；

一内金属层，设置于该半导体基底上；

一顶部金属层，设置于该内金属层上；以及

一钝化层，设置于该顶部金属层上，该钝化层包括一第一钝化部分和一第二钝化部分与该第一钝化部分隔开，其中该第二钝化部分围绕该第一钝化部分，且该第一钝化部分与该第二钝化部分间的空隙露出该顶部金属层。

11.如权利要求10所述的半导体装置结构，其特征在于，该顶部金属层具有一第一部分及一第二部分，其中该第一部分完全覆盖该内金属层，该第二部分围绕该第一部分，且该第一部分与该第二部分隔开。

12.如权利要求11所述的半导体装置结构，其特征在于，该钝化层的该第一钝化部分覆盖该顶部金属层的该第一部分及一部分的该顶部金属层的该第二部分。

13.如权利要求12所述的半导体装置结构，其特征在于，该钝化层的该第一钝化部分完全覆盖该顶部金属层的该第一部分。

14.如权利要求12所述的半导体装置结构，其特征在于，该顶部金属层的该第一部分未被该钝化层的该第一钝化部分完全覆盖。

15.如权利要求14所述的半导体装置结构，其特征在于，该钝化层的该第一钝化部分由多个不连续的区块组成。

16.如权利要求15所述的半导体装置结构，其特征在于，该些区块的每一个区块包括L型形状或矩形，该些区块排成一环形，且该些区块具有一旋转对称中心。