[发明专利]嵌入式闪存的检测电路和微调方法、嵌入式闪存

说明书

一种嵌入式闪存的检测电路和微调方法、嵌入式闪存，所述嵌入式闪存的检测电路适于检测嵌入式闪存在编程状态下的编程电压或在擦除状态下的擦除电压，包括：测试通道选择电路，与固定测试点耦接，测试通道选择电路输入有使能信号；电压比较电路，与测试通道选择电路耦接；其中，当使能信号为第一逻辑电平时，固定测试点经由测试通道选择电路对编程电压或擦除电压进行检测；当使能信号为不同于第一逻辑电平的第二逻辑电平时，固定测试点经由测试通道选择电路耦接至电压比较电路，电压比较电路将编程电压或擦除电压与固定测试点上的参考电压进行比较以产生检测结果；所述检测结果适于传输至微调电路。本发明可大大缩短编程电压或擦除电压的检测时间。

技术领域

本发明涉及嵌入式闪存技术，特别涉及一种嵌入式闪存的检测电路和微调方法、嵌入式闪存。

背景技术

闪存(Flash)是一种长寿命的非易失性的存储器，在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的极板程序、个人数字助理、数码相机中保存资料等。闪存也可以被看作电子可擦除只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)的变种，而闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。嵌入式闪存(Eflash)是一种嵌入式芯片内嵌的flash存储，在设计中，无需增加存储芯片，使得电路板更加小巧，以减少成本，还可以通过减少外设底层通信，降低编程难度，更有利于工程师对其开发和功能强化。

嵌入式闪存在出厂时前需要对其编程状态下的编程电压或在擦除状态下的擦除电压进行测试与微调，并将微调后的所述编程电压或擦除电压存储于嵌入式闪存的内部存储器中。在现有技术中，一般采用固定测试点对所述编程电压或擦除电压直接进行检测，检测过程慢，检测时间长使得测试成本大大增加。

因此，现有技术的嵌入式闪存面临着对编程电压或擦除电压的检测时间较长的问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何缩短现有技术的嵌入式闪存中对编程电压或擦除电压的检测时间。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种嵌入式闪存的检测电路，适于检测嵌入式闪存在编程状态下的编程电压或在擦除状态下的擦除电压，所述嵌入式闪存的检测电路包括：测试通道选择电路，与固定测试点耦接，所述测试通道选择电路输入有使能信号；电压比较电路，与所述测试通道选择电路耦接；其中，当所述使能信号为第一逻辑电平时，所述固定测试点经由所述测试通道选择电路对所述编程电压或擦除电压进行检测；当所述使能信号为不同于所述第一逻辑电平的第二逻辑电平时，所述固定测试点经由所述测试通道选择电路耦接至所述电压比较电路，所述电压比较电路将所述编程电压或擦除电压与所述固定测试点上的参考电压进行比较以产生检测结果；所述检测结果适于传输至微调电路，所述微调电路适于根据所述检测结果对所述编程电压或擦除电压进行调节以达到目标电压。

可选地，所述电压比较电路包括：分压电路，适于对所述编程电压进行分压以输出编程分压电压，或者对所述擦除电压进行分压以输出擦除分压电压；比较器，所述比较器的第一输入端输入有所述参考电压，所述比较器的第二输入端输入有所述编程分压电压或所述擦除分压电压，并输出比较结果。

可选地，所述分压电路包括：多个分压支路和耦接所述多个分压支路的分压选择电路，其中，所述分压选择电路在不同的控制信号的作用下，所述分压电路具有不同的分压比。

可选地，所述分压支路包括：第一电阻和第二电阻，其中，所述第一电阻的第一端输入有所述编程电压或擦除电压，所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端，并输出所述编程分压电压或擦除分压电压，所述第二电阻的第二端接地。

可选地，所述电压比较电路还包括：电平转换电路，所述电平转换电路的输出端连接所述电压比较电路的输出端，适于对所述比较器所输出的比较结果进行变换。