[发明专利]一种发光二极管的光学检测装置有效

专利信息
申请号: 201610136208.5 申请日: 2016-03-10
公开(公告)号: CN107179177B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 赵堂钟;尤家鸿;曾培翔;陈达享 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02;G01J1/04
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 发光二极管 光学 检测 装置
【说明书】:

发明提供一种发光二极管的光学检测装置,用以检测发光二极管,包括:一载具,包括:一承载台,用以承载待检测的发光二极管,该承载台具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面;一支撑体,连接于该承载台,且该支撑体具有一凸部凸伸于该承载台的第一表面,以使该支撑体及该承载台共同围设形成一凹穴;一第一真空孔,设于该支撑体,且该第一真空孔与该凹穴连通;一收光器,是朝向该承载台设置;以及一波长转换组件,设于该承载台或该收光器。

技术领域

本发明是有关于一种发光二极管的光学检测装置,且特别有关于一种用于检测发光二极管发光强度的检测装置。

背景技术

发光二极管的结构有水平式、垂直式以及覆晶式三种。水平式发光二极管中,其两个电极是设置于发光层之上,因此发光层受到电极的遮蔽而降低了发射光源的面积,便降低了其发光效率。同样地,垂直式发光二极管的其中一个电极覆盖在发光层上,亦降低了发光效率。相对地,覆晶式发光二极管的两个电极与发光层是设置于基板的两个相反面上,亦即,发光层不会受到电极的影响,因而使覆晶式发光二极管具有三种结构中最佳的发光效率。同时,覆晶式发光二极管还具有较小的热衰退,相当适合用于发光二极管照明组件。

一般而言,发光二极管晶粒必须先通过测试后才能进行实际的应用,发光二极管的测试流程是将载有发光二极管的晶圆展开后承载于一检测装置的载具上,接着以探针接触电极并通以电流使得发光二极管发光,再透过收光器(例如积分球或太阳能电池)检测发光特性,并藉由探针检测发光二极管的电性。

请参阅图1A,其显示的是一种习知发光二极管的光学检测装置100。此习知发光二极管的检测装置100包括一载具110、一收光器120及一光侦测器130。载具110包括一承载台(chuck)140以及一支撑体(holder)150支撑承载台140,该支撑体150表面具有一真空孔155。一扩张膜180(例如蓝膜或白膜)用以贴附复数待检测的发光二极管170于其表面上并可经扩晶步骤使扩张膜180表面的复数待检测的发光二极管170彼此以预定的距离互相间隔,一夹持内环160A与一夹持外环160B夹持扩张膜180并且固定于支撑体150外。一抽气装置(未显示)连通该真空孔155以将该载具与该扩张膜180之间的气体抽出,使扩张膜180吸附于承载台140表面。测试时,二点测器190分别连接发光二极管170表面的正电极175A及负电极175B并点亮发光二极管170,使检测中的发光二极管170所发出的光由收光器120的收光端125射入,然后再将收光器120所收集到的光线传送到与收光器120连接的光侦测器130以进行光学检测。

请参照图1B,当使用该习知用于发光二极管的光学检测装置100自真空孔155抽气时,位于真空孔155上的扩张膜180会因距离真空孔155较近而迅速贴附于真空孔155,并直接阻挡真空孔155,使得位于承载台140与扩张膜180之间的空气无法顺利排出,进而造成扩张膜180无法平整贴附于承载台140表面,导致点测器190在检测每一发光二极管170时,上下针的距离必须拉长才能降低载具110移动时造成发光二极管170被点测器190刮伤的机率,造成检测速度降低。此外,扩张膜180无法平整贴附于承载台140表面也将造成点测器190在下针时滑动,或发光二极管170容易发生位移或旋转而导致量测时电性不稳。

有鉴于此,本发明乃揭露一种适用于发光二极管的光学检测装置,藉以改善上述习知用于发光二极管的光学检测装置的缺点。

发明内容

本发明之一特征是提供一种发光二极管的光学检测装置,用以检测发光二极管,包括:一载具,包括:一承载台,用以承载待检测的发光二极管并具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面;一支撑体,连接于该承载台,且该支撑体具有一凸部凸伸于该承载台的第一表面,以使该支撑体及该承载台共同围设形成一凹穴;一第一真空孔,设于该支撑体且与该凹穴连通;一收光器,朝向该承载台设置;以及波长转换组件,设于该承载台或该收光器。

根据本发明的一个实施例,其中该第一真空孔设置于该支撑体的该凸部。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610136208.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top