[发明专利]晶圆级LED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种晶圆级LED器件的制备方法，包括以下步骤：

S1，提供一LED预制件，包括基板、安装在所述基板上的LED芯片；

S2，在所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深且所述限位槽由靠近所述LED芯片的侧面与远离所述LED芯片的侧面直接相接形成；定义所述限位槽远离所述LED芯片的侧面距离所述LED芯片中心点的距离为D，定义所述LED芯片的半宽为d，其中，定义所述限位槽的最大深度h，其中，0.1d≤h≤0.2d；

S3，在所述LED芯片上方进行点胶，使所述点胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽的槽内部，然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层。

2.根据权利要求1所述的晶圆级LED器件的制备方法，其特征在于，所述封装透镜层包括基体以及分散于所述基体中的扩散颗粒。

3.根据权利要求2所述的晶圆级LED器件的制备方法，其特征在于，所述扩散颗粒占所述封装透镜层的总重量的1.5％～3％。

4.根据权利要求1所述的晶圆级LED器件的制备方法，其特征在于，所述限位槽靠近所述LED芯片的侧面为圆弧面或平面。

5.一种晶圆级LED器件，其特征在于，包括：基板、安装在所述基板上的LED芯片以及封装透镜层，所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深且所述限位槽由靠近所述LED芯片的侧面与远离所述LED芯片的侧面直接相接形成；所述封装透镜层覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽的槽内部，定义所述限位槽远离所述LED芯片的侧面距离所述LED芯片中心点的距离为D，定义所述LED芯片的半宽为d，其中，定义所述限位槽的最大深度h，其中，0.1d≤h≤0.2d。

6.根据权利要求5所述的晶圆级LED器件，其特征在于，所述封装透镜层与所述限位槽远离所述LED芯片的侧面相切。

7.根据权利要求5所述的晶圆级LED器件，其特征在于，所述限位槽靠近所述LED芯片的侧面为圆弧面或平面。

8.根据权利要求7所述的晶圆级LED器件，其特征在于，所述圆弧面向所述基板的外侧凸出。