[发明专利]晶圆级LED器件及其制备方法

说明书

本发明公开一种晶圆级LED器件的制备方法，包括：提供一LED预制件，包括基板、安装在所述基板上的LED芯片；在所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深；在所述LED芯片上方进行点胶，使所述点胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽，然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层。本发明还涉及一种由上述方法获得的一种晶圆级LED器件。

技术领域

本发明涉及LED封装技术领域，尤其涉及一种晶圆级LED器件及其制备方法。

背景技术

LED灯由于具有体积小、省电以及寿命长等特点已经越来越多地被应用于照明、背光等领域。

然而，由于LED灯成本较高，阻碍其进一步的推广。晶圆级LED封装是降低成本的有效方法。晶圆级芯片封装技术是通过对整片晶圆进行封装测试后再进行切割得到单个成品芯片的技术。晶圆级芯片尺寸封装技术改变传统封装如陶瓷无引线芯片载具、有机无引线芯片载具和数码相机模块式的模式，顺应了市场对微电子产品日益轻、薄、短、小和低价化的要求，是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。

但是传统的LED器件的封装工艺难以进行高密度封装，也不适用于晶圆级封装。基于此，人们希望能采用无模点胶的工艺来对晶圆级LED芯片进行透镜的封装，最简单直观的无模点胶方法就是直接在LED芯片上点胶，利用塑封胶的表面张力形成透镜的形状。但这种方法的缺点在于透镜的形状完全取决于塑封胶的表面张力，因而无法对透镜形状进行直接的控制，而且透镜的高宽比一般较低(即透镜较“扁平”)，光效较低。

发明内容

本发明提供一种晶圆级LED器件及其制备方法，可有效解决上述问题。

一种晶圆级LED器件的制备方法，包括以下步骤：

S1，提供一LED预制件，包括基板、安装在所述基板上的LED芯片；

S2，在所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深；

S3，在所述LED芯片上方进行点胶，使所述点胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽，然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层。

进一步的，定义所述限位槽远离所述LED芯片的表面距离所述LED芯片中心点的距离为D，定义所述LED芯片的半宽为d，其中，

进一步的，定义所述限位槽的最大深度h，其中，0.1d≤h≤0.2d。

进一步的，所述封装透镜层包括基体以及分散于所述基体中的扩散颗粒。

进一步的，所述扩散颗粒占所述封装透镜层的总重量的1.5％～3％。

进一步的，所述限位槽靠近所述LED芯片的表面为圆弧面或平面。

一种晶圆级LED器件，包括：基板、安装在所述基板上的LED芯片以及封装透镜层，所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深；所述封装透镜层覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽。

进一步的，所述封装透镜层与所述限位槽远离所述LED芯片的表面相切。

进一步的，所述限位槽靠近所述LED芯片的表面为圆弧面或平面。

进一步的，所述圆弧面向所述基板的外侧凸出。