[发明专利]单一负信号触发的双向晶闸管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610142561.4 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105633133B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 周健;朱法扬;王成森;俞荣荣 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/747;H01L21/332;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单一 信号 触发 双向 晶闸管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.单一负信号触发的双向晶闸管芯片，包括N-型长基区，所述N-型长基区的正面设有正面P型短基区，背面设有背面P型短基区，所述正面P型短基区的四周、N-型长基区的上部设有环形隔离钝化槽，所述隔离钝化槽的内表面设有玻璃钝化膜，所述N-型长基区的四周设有与背面P型短基区连通的P型对通隔离环，其特征在于：所述P型对通隔离环的正面设有正面氧化膜和门极电极，所述门极电极与P型对通隔离环之间设有N+型门极区，所述正面P型短基区的正面设有正面氧化膜和主端子T2，所述主端子T2与正面P型短基区之间设有带短路孔的正面N+型发射区，所述背面P型短基区的背面沿边缘设有背面氧化膜，所述背面氧化膜的内侧设有主端子T1，所述主端子T1与背面P型短基区之间设有带短路孔的背面N+型发射区。
2.根据权利要求1所述的单一负信号触发的双向晶闸管芯片的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：生长氧化层；光刻对通隔离环；离子注入铝；对通隔离环扩散；双面P型短基区镓扩散；光刻双面N+型发射区和N+型门极区；双面N+型发射区和N+型门极区磷扩散；光刻隔离钝化槽及腐蚀；玻璃钝化；光刻引线；双面电极化；真空合金，芯片测试，分选，划片分离。
3.根据权利要求2所述的单一负信号触发的双向晶闸管芯片的制造方法，其特征在于：所述N+型门极区磷扩散的结深为10~25μm。
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